特許

J-GLOBAL ID：202003021411747175

半導体装置の製造方法

発明者： 牛島 隆志
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-160518
公開番号（公開出願番号）：特開2020-035868
出願日： 2018年08月29日
公開日（公表日）： 2020年03月05日
要約：

【課題】 ガリウム化合物系半導体を有する半導体装置を好適に製造する。【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、ガリウム化合物系半導体によって構成されたn型のドリフト層に凹部を形成する工程と、前記凹部内にガリウム化合物系半導体によって構成されたp型の高濃度ボディ層をエピタキシャル成長させる工程と、前記高濃度ボディ層の表面と前記ドリフト層の表面に跨る範囲にガリウム化合物系半導体によって構成されているとともに前記高濃度ボディ層よりもp型不純物濃度が低いp型の低濃度ボディ層をエピタキシャル成長させる工程と、前記低濃度ボディ層の一部にn型不純物を注入することによって前記低濃度ボディ層と前記高濃度ボディ層によって前記ドリフト層から分離されているn型のソース層を形成する工程と、前記低濃度ボディ層に対してゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を形成する工程を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、 ガリウム化合物系半導体によって構成されたn型のドリフト層に、凹部を形成する工程と、 前記ドリフト層の表面に、ガリウム化合物系半導体によって構成されたp型の高濃度ボディ層をエピタキシャル成長させる工程と、 前記高濃度ボディ層を研磨して、前記凹部の外側の前記高濃度ボディ層を除去し、前記凹部内に前記高濃度ボディ層を残存させる工程と、 前記高濃度ボディ層の表面と前記ドリフト層の前記表面に跨る範囲に、ガリウム化合物系半導体によって構成されており、前記高濃度ボディ層よりもp型不純物濃度が低いp型の低濃度ボディ層をエピタキシャル成長させる工程と、 前記低濃度ボディ層の一部にn型不純物を注入することによって、前記低濃度ボディ層と前記高濃度ボディ層によって前記ドリフト層から分離されているn型のソース層を形成する工程と、 前記低濃度ボディ層に対してゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を形成する工程、 を有する製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336

FI (10件)：

H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 658G

引用特許：

出願人引用 (3件)

• MOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-000568   出願人：富士電機株式会社
• スイッチング素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-253957   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-189839   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (3件)

• MOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-000568   出願人：富士電機株式会社
• スイッチング素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-253957   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-189839   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所