畑山祥吾

ハタヤマショウゴ | Hatayama Shogo

所属機関・部署：
職名：研究員

研究分野 (1件)：無機材料、物性

研究キーワード (4件)：アモルファス , 不揮発性メモリ , カルコゲナイド , 相変化材料

競争的資金等の研究課題 (5件)：

論文 (42件)：

Shogo Hatayama, Kotaro Makino, Yuta Saito. Phase-change behavior of RuSbTe thin film for photonic applications with amplitude-only modulation. Scientific Reports. 2024
Kentaro Saito, Shogo Hatayama, Yuta Saito. Modified Electronic Structure of Amorphous Mn-Si-Te for Ovonic Threshold Switch Application: Improved Thermal Stability by the Formation of Mn-Te Bonding. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 2024
Naoya Okada, Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Toshifumi Irisawa. Electrical properties and band alignments of Sb2Te3/Si heterojunctions, low-barrier Sb2Te3/n-Si and high-barrier Sb2Te3/p-Si junctions. Applied Physics Express. 2024
Shogo Hatayama, Shunsuke Mori, Yuta Saito, Paul J. Fons, Yi Shuang, Yuji Sutou. Nonvolatile Isomorphic Valence Transition in SmTe Films. ACS Nano. 2024. 18. 4. 2972-2981
Shogo Hatayama, Yuta Saito, Paul Fons, Yi Shuang, Mihyeon Kim, Yuji Sutou. Origins of midgap states in Te-based Ovonic threshold switch materials. Acta Materialia. 2023. 258

MISC (22件)：

畑山祥吾, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 内田紀行, 内田紀行. Hf-O-Te系アモルファス薄膜の組成制御によるセレクタ機能の発現. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
齊藤雄太, 畑山祥吾, 諸田美砂子. 配向制御したカルコゲナイド相変化材料薄膜. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
須藤祐司, 畑山祥吾, 森竣祐, YI Shunag. 相変化メモリの高性能化:新材料創成からのアプローチ. 半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM). 2021. 85th
畑山祥吾, 畑山祥吾, 小林啓介, 小林啓介, 齊藤雄太, FONS Paul, FONS Paul, YI Shuang, 森竣祐, KOLOBOV Alexander V., et al. 遷移金属含有アモルファスカルコゲナイドの低抵抗化機構の解明. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
齊藤雄太, 畑山祥吾, 畑山祥吾, YI Shuang, FONS Paul, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 須藤祐司. 層状カルコゲナイドにおける化学結合の次元変化を伴う結晶化. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd

特許 (2件)：

学歴 (1件)：

学位 (1件)：

経歴 (3件)：

受賞 (2件)：

所属学会 (2件)：

日本金属学会 , 応用物理学会

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畑山 祥吾