研究者
J-GLOBAL ID：202101013433902465   更新日: 2023年11月07日

諸田 美砂子

モロタ ミサコ | Morota Misako
所属機関・部署：
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門 について


研究分野 (1件)： 構造材料、機能材料
研究キーワード (6件)： 層状物質 ,  メモリデバイス ,  スピントロニクス ,  トポロジカル材料 ,  超格子 ,  相変化材料
論文 (7件)：
  • Yuta Saito, Misako Morota, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Alexander Kolobov, Paul Fons. Recent developments concerning the sputter growth of chalcogenide-based layered phase-change materials. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2021. 135
  • Misako Morota, Yuta Saito, Noriyuki Uchida. Enhancement of Spin Pumping from CoFeB to Sb2Te3 Layers by Crystal Orientation Control. PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS. 2021. 15. 9
  • Haruka Kusai, Misako Morota, Masato Oda, Shosuke Fujii, Kiwamu Sakuma, Masato Koyama. Re-Examination of Performance and Reliability Degradation in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memory with Ultrathin SiN Charge Trap Layers. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2012. 51. 4
  • M. Morota, Y. Niimi, K. Ohnishi, D. H. Wei, T. Tanaka, H. Kontani, T. Kimura, Y. Otani. Indication of intrinsic spin Hall effect in 4d and 5d transition metals. PHYSICAL REVIEW B. 2011. 83. 17
  • Y. Niimi, M. Morota, D. H. Wei, C. Deranlot, M. Basletic, A. Hamzic, A. Fert, Y. Otani. Extrinsic Spin Hall Effect Induced by Iridium Impurities in Copper. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2011. 106. 12
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MISC (1件)：
  • 齊藤雄太, 畑山祥吾, 諸田美砂子. 配向制御したカルコゲナイド相変化材料薄膜. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
学歴 (3件)：
  • 2007 - 2010 筑波大学 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻
  • 2005 - 2007 慶應義塾大学 理工学研究科 基礎理工学専攻
  • 2001 - 2005 慶應義塾大学 理工学部 物理学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (筑波大学)
経歴 (2件)：
  • 2019/04 - 2020/03 キオクシア株式会社 メモリ技術研究所
  • 2010/04 - 2019/03 株式会社 東芝 研究開発センター
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