研究者
J-GLOBAL ID：202101019290115902
更新日: 2025年04月11日
西村 知紀
Nishimura Tomonori
この研究者にコンタクトする
直接研究者へメールで問い合わせることができます。
競争的資金等の研究課題 (7件)：
2022 - 2025 二次元層状物質を用いた金属/Si,Ge界面のバンドアライメント決定機構の解明
2018 - 2021 固体酸化物形燃料電池の低温動作化に向けた極薄電解質膜におけるイオン輸送機構の研究
2017 - 2020 金属特性及び界面構造の制御による低抵抗金属/Geコンタクト形成に関する研究
2013 - 2016 金属/半導体界面におけるフェルミレベルピンニングとその緩和機構に関する研究
2010 - 2011 金属/半導体界面の終端効果とバンドアライメントの決定機構に関する研究
2007 - 2011 ナノメートル誘電体・薄膜の電子物性の理解と制御の研究
2005 - 2006 単一グレイン有機薄膜トランジスタの形成技術と電気伝導機構に関する研究
全件表示
論文 (124件)：
Kaito Kanahashi, Itsuki Tanaka, Tomonori Nishimura, Kohei Aso, Anh Khoa Augustin Lu, Satoru Morito, Limi Chen, Takafumi Kakeya, Satoshi Watanabe, Yoshifumi Oshima, et al. Dimensionality-Induced Transition from Degenerate to Nondegenerate States in Nb-Doped WSe
2
. ACS Nano. 2025
Tomohiro Fukui, Tomonori Nishimura, Yasumitsu Miyata, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio. Single-Gate MoS<sub>2</sub> Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction. ACS Applied Materials & Interfaces. 2024. 16. 7. 8993-9001
Yih-Ren Chang, Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Tomonori Nishimura, Haonan Wang, Yubei Xiang, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, et al. Shift Current Photovoltaics based on A Noncentrosymmetric Phase in in-plane Ferroelectric SnS. Advanced Materials. 2023
Yih-Ren Chang, Tomonori Nishimura, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio. Performance Enhancement of SnS/<i>h</i>-BN Heterostructure p-Type FET via the Thermodynamically Predicted Surface Oxide Conversion Method. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES. 2022. 14. 17. 19928-19937
Masaya Umeda, Naoki Higashitarumizu, Ryo Kitaura, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio. Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2021. 14. 12
もっと見る
MISC (6件)：
李 秀妍, 矢嶋 赳彬, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. Analytical formulation of interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 421. 1-4
李 忠賢, 西村 知紀, 田畑 俊行, 王 盛凱, 長汐 晃輔, 喜多 浩之, 鳥海 明. Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2011. 110. 406. 9-12
喜多 浩之, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. CMOSゲートスタック応用へ向けたGeO2/Ge界面反応の理解. 表面科学学術講演会要旨集. 2011. 31. 0. 172-172
喜多 浩之, 王 盛凱, 李 忠賢, 吉田 まほろ, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2010. 110. 90. 55-60
喜多 浩之, 王 盛凱, 李 忠賢, 吉田 まほろ, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上. 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会. 2010. 2010. 36. 7-12
もっと見る
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
