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J-GLOBAL ID:202102210105424235   整理番号:21A0984960

広い範囲の高電圧入力応用のためのSiC MOSFETによる補助電源【JST・京大機械翻訳】

Auxiliary Power Supply with SiC MOSFET for Wide-Range High Voltage Input Applications
著者 (7件):
資料名:
巻: 2020  号: IPEMC - ECCE Asia  ページ: 137-141  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高出力および高電圧(HV)応用に対して,低電力サブシステムは,広い範囲高電圧入力を取り入れることができ,出力で低DC電圧を発生することができる補助電源を持つ必要がある。効率を改善するために,抵抗がより小さい炭化ケイ素(SiC)MOSFETをシリコン(Si)MOSFETに置換し,2つのデバイスの静的および動的特性を比較,解析した。さらに,準共振(QR)トポロジーを選択して損失と電磁干渉(EMI)レベルを低減した。本論文では,高電圧応用のためのSiCベースのQRフライバック補助電源を提案し,補助電源のための設計スキームを検証した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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