Cs吸着がある場合とない場合のGaリッチGaAs_0.5P_0.5(001)β_2(4ν=2)とAs(P)リッチβ_2(2 λ=4)再構成表面に関する第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

He Siyi; Yang Mingzhu; Pei Shixin

文献

J-GLOBAL ID：202102210208617172 整理番号：21A2632162

Cs吸着がある場合とない場合のGaリッチGaAs_0.5P_0.5(001)β_2(4ν=2)とAs(P)リッチβ_2(2 λ=4)再構成表面に関する第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First principle research on Ga rich GaAs_0.5P_0.5(001) β₂(4 × 2) and As(P) rich β₂(2 × 4) reconstruction surfaces with and without Cs adsorption

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資料名：
巻： 53 号： 9 ページ： 500 発行年： 2021年
JST資料番号： A0205A ISSN： 0306-8919 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

第一原理計算に基づいて,GaリッチおよびAs(P)リッチクリーンGaAs_0.5P_0.5(001)再構成表面および種々のサイトでのCsの0.125ML被覆率を有する吸着表面を研究した。GaリッチGaAs_0.5P_0.5(001)β_2(4×2)再構成表面の生成エネルギーはAs(P)リッチのものより小さく,Gaリッチβ_2(4×2)とAs(P)リッチβ_2(2×4)表面の仕事関数はそれぞれ4.657eVと5.187eVであった。両表面上のCs吸着原子の吸着エネルギーは負であり,Cs吸着が安定な発熱過程であることを示した。2つの表面の仕事関数はCs吸着後に減少し,As(P)リッチβ_2(2×4)表面の平均変化はより大きかった。Mulliken電荷分析は,Cs吸着原子がGaAsP基板に電子を移動させ,仕事関数を低下させるCs-GaAsP双極子をもたらすことを示す。Cs原子がGaリッチ表面のD_2とAs(P)リッチ表面のD_2に位置するとき,2つの再構成表面の仕事関数値は最小値に達し,それぞれ2.834eVと2.859eVであった。双極子モーメントを計算することにより,最上層のCs吸着原子がトレンチに位置するCs原子よりもGaAsP基板により大きな有効双極子モーメントを形成することが分かった。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体レーザ , 半導体のルミネセンス , 光導電素子 , 太陽電池 , 半導体結晶の電子構造

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