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J-GLOBAL ID：202102210243694808   整理番号：21A0875015

単結晶SiC上の二重スクラッチング中の損傷干渉に及ぼす切断深さの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Depth of Cutting on Damage Interferences during Double Scratching on Single Crystal SiC

著者 (1件)： Nian Duan (Institute of Mechanical Engineering and Automation, HuaQiao University, Fujian 361021, China)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 10  号： 6  ページ： 519  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,2つの円錐形ダイヤモンドグリットによる単結晶炭化けい素(SiC)のスクラッチ中の損傷干渉を,有限要素法(FEM)と平滑化粒子流体力学(SPH)を結合することによって実験的に研究し,数値的に解析し,切削深さ(DOC)方向に沿った可変Z軸間隔におけるSiCのミクロンスケール除去中の干渉機構を明らかにした。シミュレーション結果をスクラッチ実験によって十分に検証した。ミクロンスケールにおける二重スクラッチ中のSiCの損傷干渉機構は,材料除去モードに密接に関連し,基本的に異なるDOCsで3つの段階に分割できる:5m未満の場合における塑性と脆性除去の複合干渉,DOCが5mに増加したときの亀裂伝播の干渉,および5mより大きい場合におけるSiCの破壊中の干渉段階を弱めた。従って,DOCは,材料除去モードに影響することにより,スクラッチしたSiCの損傷干渉において決定的な役割を果たすことが分かった。SiCを複合脆性-塑性モードで除去したとき,損傷干渉は主にDOC方向に沿って起こった。SiCを脆性的に除去したとき,干渉は主に切削の幅に沿っていた。より重要なことに,SiCの断片が開始されると,干渉は弱くなり,実際の材料除去深さに及ぼす影響も減少した。本研究で得られた結果は,現代の電子デバイスの製作のためにますます重要になっているSiCウエハ平坦化プロセスの最適化に本質的な意味を持つと考えられる。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  *干渉 ,  最適化 ,  シミュレーション ,  *単結晶 ,  有限要素法 ,  脆性 ,  炭化ケイ素 ,  亀裂伝搬
準シソーラス用語： 電子素子 ,  SPH法 ,  材料除去 ,  平坦化 ,  *スクラッチ ,  切削深さ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 損傷干渉 ,  材料除去モード ,  二重スクラッチング ,  SPH法

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

引用文献 (30件)：

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• Maksakova, O.V.; Simoẽs, S.; Pogrebnjak, A.D.; Bondar, O.V.; Kravchenko, Y.O.; Koltunowicz, T.N.; Shaimardanov, Z.K. Experimental and theoretical studies of the physicochemical and mechanical properties of multi-layered TiN/SiC films: Temperature effects on the nanocomposite structure. Compos. Part B-Eng. 2018, 142B, 85-94.
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• Levinshtein, M.E.; Rumyantsev, S.L.; Shur, M.S. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe; Wiley& Sons, Inc.: New York, NY, USA, 2001.

タイトルに関連する用語 (2件)： 損傷 ,  干渉