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J-GLOBAL ID：202102210436071357   整理番号：21A0984246

量子井戸ヘテロ構造を有する超低電力スケールIII-V-on-Si 1T-DRAM【JST・京大機械翻訳】

Ultra-Low Power Scaled III-V-on-Si 1T-DRAMs With Quantum Well Heterostructures

著者 (5件)： Convertino C. (IBM Research-Zurich,Rueschlikon,Switzerland) ,  Vergano L. (IBM Research-Zurich,Rueschlikon,Switzerland) ,  Czornomaz L. (IBM Research-Zurich,Rueschlikon,Switzerland) ,  Zota C. B. (IBM Research-Zurich,Rueschlikon,Switzerland) ,  Karg S. (IBM Research-Zurich,Rueschlikon,Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs-on-SiFETにおける浮遊体効果に基づく1T-DRAMを実証した。最適化された量子井戸チャネルヘテロ構造を用いて,保持時間は増強され,全体のエネルギー消費は強く低減され,IT-DRAMsの最低書き込みと読出エネルギーが14nmの極端にスケールされたゲート長と共に得られた。2つの異なるチャネルヘテロ構造を,メモリ動作,エネルギー消費,および耐久性に及ぼす影響に関して調査した。チャネル材料の高い電子移動度は,わずか3.9pWのリフレッシュ電力消費を可能にし,1Tメモリと最先端の1T1C DRAMセルの整合状態について報告された。これらのデバイスは,III-V高周波および将来の高性能論理ノード技術における埋込みメモリアプリケーションに対して非常に有望である。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  最適化 ,  電力消費 ,  HF【周波数】 ,  耐久性 ,  応用プログラム ,  チャネル ,  *量子井戸 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *DRAM
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ゲート長 ,  *ヘテロ構造 ,  埋込みメモリ ,  *超低消費電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  符号理論  (ND02030R) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  低電力 ,  スケール ,  Si ,  DRAM