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J-GLOBAL ID：202102210454204474   整理番号：21A3198611

無鉛ZrおよびY共ドープBaTiO_3の構造,誘電およびインピーダンス特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of structural, dielectric, and impedance properties of lead-free Zr and Y Co-doped BaTiO₃

著者 (7件)： Akter S. (Dept. of Physics, Comilla University, Comilla, 3506, Bangladesh) ,  Ahad A. (Dept. of Physics, Comilla University, Comilla, 3506, Bangladesh) ,  Das M.K. (Dept. of Physics, Comilla University, Comilla, 3506, Bangladesh) ,  Taher M.A. (Dept. of Physics, Comilla University, Comilla, 3506, Bangladesh) ,  Barik A. (Dept. of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, 1000, Bangladesh) ,  Alam F. (Department of Physical Sciences, School of Engineering and Computer Science, Independent University, Dhaka, 1229, Bangladesh) ,  Khan M.N.I. (Materials Science Division, Atomic Energy Center, Dhaka, 1000, Bangladesh)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 275  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ba_1-xZr_xTi_0.98Y_0.02O_3セラミック(ここでx=0.00から0.10)を固相反応プロセスを用いて調製し,それらの構造,誘電および電気的性質を調べた。X線回折(XRD)スペクトルは正方晶ペロブスカイト構造の生成を確認した。ディスクおよびトロイド形状の試料を各成分から作製し,1250°Cで3時間焼結した。格子定数はVegard則に従うZr含有量の増大に伴って低下した。粒子サイズはZr含有量が増加するにつれて増加し,バルク対バルク比が低いことを示唆した。X線とバルク密度はZr含有量の増加とともにわずかに低下した。誘電率(ε′)と誘電損失(tanδ_E)はZr含有量の増加とともに低下した。AC伝導率は周波数の増加と共に増強し,高周波数での伝導過程における結晶粒の影響の増加を示し,また小さなポーラロンホッピング機構を確認した。電荷担体の短距離運動に対する長距離はZr含有量の増加とともに増大した。インピーダンス分光分析は試料の低い抵抗半導体性能を確認した。Nyquistプロットは,粒界だけが伝導過程に対して顕著であることを確認した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *インピーダンス ,  結晶粒界 ,  格子定数 ,  固相反応 ,  焼結 ,  セラミック ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  *ジルコニウム ,  X線回折分析 ,  *ドーピング ,  結晶粒 ,  正方晶系 ,  ホッピング伝導 ,  損失正接

著者キーワード (5件)： ペロブスカイト ,  誘電特性 ,  Jonscherのべき乗則 ,  インピーダンス ,  Nyquistプロット

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zr ,  ドープ ,  インピーダンス特性 ,  研究