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J-GLOBAL ID：202102210796890925   整理番号：21A0697626

低バリアの実現に向けた1T’-MoTe₂と2H-MoTe₂のコンタクト特性の評価

Study of contact property between 1T’- and 2H-MoTe₂ for low barrier height

著者 (5件)： XIE Tianshun (千葉大) ,  大内秀益 (千葉大) ,  坂梨昂平 (千葉大) ,  上野啓司 (埼玉大) ,  青木伸之 (千葉大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11a-Z29-13  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 遷移金属ダイカルコゲナイド(Transitional Metal Dichalcogenides:TMDs)は、一つの遷移金属元素(Mo,Wなど)と二つのカルコゲン元素(S,Se,Te)からなるMCh2で表される2次元層状物質である。TMD...【本文一部表示】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  結晶構造 ,  高温 ,  接触抵抗 ,  電流 ,  半導体 ,  ケイ素 ,  *テルル ,  レーザ照射 ,  Fermi準位 ,  van der Waals力 ,  二次元 ,  半金属 ,  ピン止め
準シソーラス用語： ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (3件)： バリア ,  コンタクト ,  評価