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J-GLOBAL ID：202102210971578815   整理番号：21A2328127

シリコンイオン注入を用いた平面タイプII超格子ベース光検出器の実証【JST・京大機械翻訳】

Demonstration of Planar Type-II Superlattice-Based Photodetectors Using Silicon Ion-Implantation

著者 (6件)： Dehzangi Arash ,  Wu Donghai ,  McClintock Ryan ,  Li Jiakai ,  Jaud Alexander ,  Razeghi Manijeh
資料名： Photonics (Web)  (Photonics (Web))
巻： 7  号： 3  ページ： 68  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7260A  ISSN： 2304-6732  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,デバイスを分離するためにシリコンイオン注入を用いて,II型InAs/InAs_1-xSb_x超格子に基づくpBn平面中波長赤外光検出器の実証を報告した。77Kにおいて,光検出器は,3.8μmで0.76A/Wのピーク応答性を示し,これは,4.6μmの100%カットオフ波長で,+40mVの印加バイアスの下で,21.5%の反射防止被覆なしで,量子効率に対応した。+40mVの印加バイアスと77Kで,5.21×10-6A/cm2の暗電流密度で,光検出器は4.95×1011cm・Hz1/2/Wの比検出性を示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *超格子 ,  赤外線 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  *ケイ素 ,  *イオン注入 ,  波長 ,  反射防止膜 ,  暗電流 ,  中波 ,  平面構造 ,  バイアス ,  量子効率
準シソーラス用語： カットオフ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 平面構造 ,  イオン注入 ,  II型超格子 ,  量子効率 ,  注入エネルギー

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

引用文献 (34件)：

• Petersen, C.R.; Møller, U.; Kubat, I.; Zhou, B.; Dupont, S.; Ramsay, J.; Benson, T.; Sujecki, S.; Abdel-Moneim, N.; Tang, Z.; et al. Mid-infrared supercontinuum covering the 1.4-13.3 μm molecular fingerprint region using ultra-high NA chalcogenide step-index fibre. Nat. Photonics 2014, 8, 830.
• Seddon, A.B. A prospective for new mid-infrared medical endoscopy using chalcogenide glasses. Int. J. Appl. Glass Sci. 2011, 2, 177-191.
• Wartewig, S.; Neubert, R.H.H. Pharmaceutical applications of Mid-IR and Raman spectroscopy. Adv. Drug Deliv. Rev. 2005, 57, 1144-1170.
• Hackwell, J.A.; Warren, D.W.; Bongiovi, R.P.; Hansel, S.J.; Hayhurst, T.L.; Mabry, D.J.; Sivjee, M.G.; Skinner, J.W. LWIR/MWIR imaging hyperspectral sensor for airborne and ground-based remote sensing. In Proceedings of the International Symposium on Optical Science, Engineering, and Instrumentation, Denver, CO, USA, 4-9 August 1996; pp. 102-107.
• Razeghi, M.; Dehzangi, A.; Wu, D.; McClintock, R.; Zhang, Y.; Durlin, Q.; Li, J.; Meng, F. Antimonite-based gap-engineered type-II superlattice materials grown by MBE and MOCVD for the third generation of infrared imagers. In Proceedings of the Infrared Technology and Applications XLV, Baltimore, MD, USA, 14-18 April 2019; p. 110020G.

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  イオン注入 ,  タイプ ,  超格子 ,  光検出器 ,  実証