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J-GLOBAL ID：202102211289732680   整理番号：21A2517666

酸化物メモリスタの温度依存抵抗スイッチング挙動【JST・京大機械翻訳】

Temperature-dependent resistive switching behaviour of an oxide memristor

著者 (4件)： Kumari Karuna (Department of Physics, Indian Institute of Technology Patna, Bihta 801 106, India) ,  Majumder S. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Patna, Bihta 801 106, India) ,  Thakur Ajay D. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Patna, Bihta 801 106, India) ,  Ray S.J. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Patna, Bihta 801 106, India)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 303  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,La_0.7Ca_0.3MnO_3(LCMO)と還元酸化グラフェン(rGO)からなる有望なハイブリッド構造の温度依存輸送と抵抗スイッチング挙動を報告する。電流-電圧(IV)特性は,研究した温度範囲100K-300Kにおいて非線形であり,それはまた温度依存性である。記憶効果は200Kで最も顕著であり,一方,温度の低下によるIV曲線におけるヒステリシスの減少は,電荷キャリアの低い熱エネルギーに起因した。異なる温度でのSETおよびRESETプロセスにおける電荷輸送は,温度>200Kでのトラップ制御空間電荷制限伝導機構およびそれ以下の温度におけるPoole-Frenkel発光を用いて説明できる。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電流 ,  発光 ,  ヒステリシス ,  *酸化物 ,  *温度依存性 ,  複合構造
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  温度範囲 ,  熱エネルギー ,  *抵抗スイッチング ,  電荷キャリア ,  *メモリスタ ,  空間電荷制限伝導 ,  還元型酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 抵抗スイッチング ,  ヒステリシス ,  SCLC ,  Poole-Frenkel放射

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  メモリスタ ,  温度依存 ,  抵抗スイッチング ,  挙動