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J-GLOBAL ID：202102211315945524   整理番号：21A0834666

メニスカス力媒介層転写技術によるプラスチック基板上での単結晶シリコンCMOS回路の製造

Single Crystalline Silicon CMOS Circuit Fabrication on Plastic Substrate by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique

著者 (3件)： MIZUKAMI Ryutatsu (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  YAMASHITA Tomonori (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM)  (Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM))
巻： 24th  ページ： ROMBUNNO.FLX4-5L  発行年： 2017年12月05日 
JST資料番号： L4269B  ISSN： 1883-2504  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・SiO₂ピラー成形注入により,メニスカス力を介した層移動により,プラスチック基板上に単結晶Si薄膜トランジスタ(TFT)を製造する技術を開発。
・n,pチャネルTFTは,夫々603cm²/Vsと197cm²/Vsの高い電界効果移動度と71.3mV/decと75.0mV/decの低いサブスレッショルドスイングを呈示。
・CMOSインバーターは,2.0Vの低電源電圧で動作。
・これらの結果は,提案された技術が酸化物,有機半導体,シリコンのハイブリッドデバイスの新しい分野を切り開くことを示唆。

シソーラス用語： メニスカス ,  *基板 ,  *ケイ素 ,  *CMOS ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  インバータ
準シソーラス用語： TFT【トランジスタ】 ,  *プラスチック基板 ,  *単結晶シリコン ,  電界効果移動度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• Q.-Y. Tong, R. Scholz, U. Gosele, T.-H. Lee, L.-J. Huang, Y.-L. Chao, and T. Y. Tan ”A ”marter-cut” approach to low temperature silicon layer transfer,” Jpn. J. Appl. Phys., 72, pp. 49-51 (1998).
• Davood Shahrijerdi and Stephen W. Bedell ”Extremely Flexible Nanoscale Ultrathin Body Silicon Integrated Circuits on Plastic,” Nano Lett., 13, pp. 315-320 (2013).
• S. Inoue ”Low temperature poly-Si TFT-electrophoretic displays (TFT-EPDs) with four level gray scale ,” Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meeting 2000, 197 (2000).
• R. Delmdahl, R. Patzel, J. Brune, ”Large-area laser-liftoff processing in microelectronics, ” Phys. Procedia., 41,241-248 (2013).
• K. Sakaike, S. Nakamura, M. Akazawa, and S. Higashi, ”Low-temperature layer transfer of midair cavity silicon films to a poly(ethylene terephthalate) substrate by meniscus force, ” Jpn. J. Appl. Phys., 53.pp.018004-1-018004-3 (2014).

タイトルに関連する用語 (5件)： メニスカス ,  転写 ,  プラスチック基板 ,  単結晶シリコン ,  CMOS回路