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J-GLOBAL ID：202102211533203154   整理番号：21A0697739

シリコン単結晶成長におけるリン濃度分布の蒸発フラックス依存性

Dependence of phosphorus evaporation flux for phosphorus concentration during silicon crystal growth

著者 (4件)： 中野智 (九大 応用力学研) ,  LIU Xin (九大 応用力学研) ,  HAN Xuefeng (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11p-Z12-1  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： シリコン結晶成長時には、通常、ボロンやリンといった不純物(ドーパント)を添加する。このような不純物が結晶へ混入する場合、偏析現象が大きな影響を及ぼす[1]。ボロンやリンは偏析係数が小さいため、結晶中濃度分布は不均一になる。しかし、この不...【本文一部表示】

シソーラス用語： *蒸発 ,  数値計算 ,  電気抵抗率 ,  不純物 ,  偏析 ,  ホウ素 ,  *リン ,  一方向凝固 ,  *濃度分布 ,  成長段階 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 偏析係数 ,  *単結晶シリコン ,  融液 ,  結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  単結晶成長 ,  リン ,  濃度分布 ,  蒸発 ,  フラックス ,  依存性