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J-GLOBAL ID:202102212420074275   整理番号:21A3198359

新しいエレクトロスプレイ支援エッチングプロセスにより作製した高性能で調整したハニカムAgナノワイヤネットワーク【JST・京大機械翻訳】

High-performance and tailored honeycombed Ag nanowire networks fabricated by a novel electrospray assisted etching process
著者 (9件):
資料名:
巻: 571  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ウェアラブルエレクトロニクスにおける急速に成長する需要は,優れた光電子特性を特徴とする透明フレキシブル導電性電極(TFE)の開発をもたらした。ここでは,ハニカム状多孔質Agナノワイヤ(NWs)ネットワークを作製するため,エレクトロスプレー支援エッチング(ESAE)プロセスの容易で環境に優しいコスト効率の良い戦略を提示した。水溶性絹フィブロイン(SF)膜をマスク層として用いて,Ag NWsネットワークをパターン化し,その上に,擬似周期的分散正孔を,SF膜を溶解するために水滴をエレクトロスプレイすることによって,簡単に,そして自発的に達成した。溶解孔のスケール特徴は,エレクトロスプレーパラメータを変えることによって調整でき,調整したAg NWネットワークとカスタマイズ可能な性能指数(FOM)をもたらした。液滴の準周期的堆積は電場力によって支援されることが分かった。完全被覆ネットワークと比較して,最適化多孔性ネットワークは,よく制御された粗さ,92.5%の透過率,よく保持された伝導率(29Ω/sq)および優れた機械的安定性を持ち,FOMの9.3%の増加をもたらし,実際の光電要求に従ってさらにカスタマイズできた。伝導率は5mmの曲げ半径で10000回の曲げサイクル後に4.9%だけ低下し,ハニカム構造の良好な機械的安定性を示した。簡単で非毒性のESAEプロセスは,異なるオプトエレクトロニクス応用に対する透過率とシート抵抗の間のトレードオフを実現するための理想的な戦略を提供する。さらに,この戦略は普遍的な範囲を持ち,大面積製造に実現可能である。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電気伝導  ,  酸化物薄膜  ,  光物性一般 

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