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J-GLOBAL ID:202102212867127382   整理番号:21A1173360

フレキシブルDCコンバータバルブIGBTデバイスの放熱性能解析【JST・京大機械翻訳】

Heat Dissipation Performance Analysis of IGBT in Flexible DC Converter Valve
著者 (7件):
資料名:
巻: 14  号: 12  ページ: 43-48  発行年: 2020年 
JST資料番号: C3441A  ISSN: 1674-0629  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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高圧フレキシブルHVDC送電系統コンバータバルブ用の溶接型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)デバイスに対して、発熱機構と放熱特性研究を展開した。デバイスの発熱特性に基づき、まず、過渡双曲線法を用いて、デバイスの熱抵抗をテストし、デバイスの全熱抵抗を確定し、全熱抵抗とデバイス構造パラメータと各層材料の熱伝導率の求解によって得られた結果と一致し、有限要素モデルの各層材料の熱伝導率選択の正確性を検証した。次に,チップ,DCB板,基板,シリカゲル,およびシェルを含む3D有限要素モデルをセットアップし,定常状態熱場,過渡熱場,および熱結合場を計算した。定常状態熱場計算により、基板対流熱伝達係数の値がデバイス放熱のキーポイントであり、デバイスの上層のシリカゲル熱伝導率を変えることは放熱効果に顕著でないことが明らかになった。過渡熱場計算によると、28s後、デバイスの温度上昇は定常状態に達し、最高運転温度は80.2°Cであり、各チップの熱均一性は良好である。定常状態熱場結果を負荷として、デバイスの応力計算を行い、その結果、デバイスは曲げと残留応力が小さく、運転信頼性が良いことが分かった。IGBTデバイスの放熱特性を,試験およびシミュレーションを通して詳細に解析し,そして,それは,後続装置の最適設計および信頼できる運転のための良好な技術的支援を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電力系統一般  ,  発光素子  ,  熱交換器,冷却器 

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