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J-GLOBAL ID：202102212987652159   整理番号：21A0763785

自己触媒法InPナノワイヤ中の硫黄ドーピング濃度のNanoSIMS測定

Controllable sulfur dopant concentration in InP nanowires revealed by NanoSIMS with nanoscale spatial resolution

著者 (7件)： ZHANG Guoqiang (NTT 物性科学基礎研) ,  ZHANG Guoqiang (NTT ナノフォトニクスセ) ,  舘野功太 (NTT 物性科学基礎研) ,  舘野功太 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  俵毅彦 (NTT 物性科学基礎研) ,  俵毅彦 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  後藤秀樹 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z01-10  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： 蒸気-液体-固体(VLS)成長ワイヤは種々のデバイスの重要部品になっている。電気的および光学的デバイス性能の潜在的能力を最大化するために,ドーパント制御情報の知識は,最も重要である。ドーピング制御を研究するための非常に強力なツールである二次...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： イオンビーム ,  円板 ,  インジウム ,  ヒ素 ,  ヒ化インジウム ,  *ドーピング ,  *リン化インジウム ,  *硫黄 ,  *金属線 ,  MOCVD ,  ドーパント ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  シリコンウエハ ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  質量分析  (CC03013N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己触媒 ,  InP ,  ナノワイヤ ,  硫黄 ,  ドーピング ,  NanoSIMS