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J-GLOBAL ID：202102213061837102   整理番号：21A1680115

マルチバレーモンテカルロ法によるMoS_2およびWS_2における電場依存移動度の計算【JST・京大機械翻訳】

Calculation of Field Dependent Mobility in MoS₂ and WS₂ with Multi-Valley Monte Carlo Method

著者 (2件)： Chen Pin-Fang (National Taiwan University,Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,Taipei,Taiwan,10617) ,  Wu Yuh-Renn (National Taiwan University,Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,Taipei,Taiwan,10617)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2021  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2021年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元(2D)材料は短いチャネル効果におけるそれらの抑制によりトランジスタ応用の可能性を有するので,それらは世界中の研究者から大きな注目を集め,次世代トランジスタの可能性を示す。2D材料の全てにおいて,遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)単分子層は,より良いオン/オフ比を提供し,また,理論予測において良好な移動度を有するため,最もポピュラーなものである。近年,TMD単分子層を用いてトランジスタを作製し,オン/オフ比を107[2]以上に得るいくつかのグループがある。しかし,完全な2D単分子層の成長の困難さのため,実験によって報告された移動度は理論予測よりはるかに低い。TMD材料の実際の固有輸送特性はまだ不明である。結果として,さらに議論する必要がある。移動性を計算するいくつかの方法がある。1つの一般的方法はBoltzmann輸送方程式である。もう一つの方法はモンテカルロ手法であり,それは材料中のキャリアの移動をシミュレートできる。それは種々の電場と飽和速度の下で速度を計算することができる。トランジスタが小さくなると,低磁場移動度に加えて,高磁場速度はより重要になった。その結果,本研究では,単層MoS_2とWS_22における電子の輸送をシミュレートするためにモンテカルロ法を採用した。異なる電場下の電子速度を議論し,両TMD材料における電子輸送に及ぼす衛星Q谷の影響を論じた。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *モンテカルロ法 ,  *移動度 ,  *電場 ,  トランジスタ ,  単分子層 ,  強磁場 ,  二次元 ,  単一層 ,  チャネル ,  弱磁場
準シソーラス用語： 輸送方程式 ,  輸送特性 ,  移動性 ,  電子速度 ,  電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： マルチ ,  モンテカルロ法 ,  電場 ,  移動度 ,  計算