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J-GLOBAL ID：202102213634988696   整理番号：21A0552407

イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究(III)

Growth control of graphene on the SiC substrate using ion beam irradiation (III)

著者 (6件)： 山田雄也 (九州工業大学工学部) ,  白土恵輝 (九州工業大学工学部) ,  井田孟 (九州工業大学工学部) ,  小野魁士 (九州工業大学工学部) ,  内藤正路 (九州工業大学工学部) ,  碇智徳 (宇部工業高等専門学校)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2020  ページ： 64(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,電気的特性の高いグラフェンが注目されているが,形成方法を明らかにしていく必要がある。そのため,6H-SiC(0001)基板にイオンビーム(IB)照射およびSi蒸着をしたのち,基板のアニールを行い,STM観察およびRaman分光測定を行った。本研究では,IB30°で品質の高いグラフェンを得ることができた。今後は実験条件を変化させて高品質のグラフェンが得られる条件を探っていく必要がある。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *グラフェン ,  イオン照射 ,  電子顕微鏡観察 ,  *Ramanスペクトル ,  炭化ケイ素 ,  表面構造

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオンビーム照射 ,  SiC基板 ,  グラフェン ,  研究