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J-GLOBAL ID：202102214200647874   整理番号：21A0043464

円錐シリコンナノワイヤのスペクトル挙動に及ぼす入射角と偏光の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Incident Angle and Polarization on Spectral Behaviors of Tapered Silicon Nanowire

著者 (6件)： Tong Jie (中国電力科学研究院有限公司,北京 100192) ,  Lei Yuqing (中国電力科学研究院有限公司,北京 100192) ,  Li Yingfeng (新能源電力系統国家重点実験室,華北電力大学可再生能源学院,北京 102206) ,  Li Meicheng (新能源電力系統国家重点実験室,華北電力大学可再生能源学院,北京 102206) ,  Zhang Minghao (中国電力科学研究院有限公司,北京 100192) ,  Gao Zhongliang (新能源電力系統国家重点実験室,華北電力大学可再生能源学院,北京 102206)
資料名： Guangpuxue yu Guangpu Fenxi  (Guangpuxue yu Guangpu Fenxi)
巻： 40  号： 11  ページ： 3394-3398  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2093A  ISSN： 1000-0593  CODEN： GYGFED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： シリコンナノワイヤの消光断面は、特定の波長帯でその幾何断面の数百倍に達することができ、これは数百倍の幾何断面範囲の光を集めることができることを意味している。従って、シリコンナノワイヤは太陽電池、センサー及び光触媒などの光電子領域に広く応用されている。シリコンナノワイヤは,主に円筒形(C-SiNW)と円錐(T-SiNW)の2つの形態を有する。その中、T-SiNWはもっと広い波長帯で大きい消光係数を持ち、そのため、より良い広スペクトル光収集能力がある。しかし、光が先端から入射する時、T-SiNWの吸収スペクトルの数値は非常に小さく、その実際応用を厳重に制限した。従って,T-SiNWスペクトル挙動に及ぼす入射角度の影響を調べる必要がある。偏光もT-SiNWのスペクトル挙動に影響する。離散双極子近似法に基づいて,T-SiNWの吸収スペクトル,散乱特性に対する入射角度と偏光の影響を詳細に調べた。まず、長さ1μm、上底直径20nm、下底直径120nmのT-SiNWモデルを作り、入射角度が0180°の範囲内で30°間隔で増加し、偏光は入射面に平行して入射面に垂直な2つの状況を含む。次に,T-SiNWの消光,吸収スペクトルおよび吸収/消光比に及ぼす入射角および偏光の影響を研究し,そして,T-SiNWスペクトル挙動の機構を,近接場解析によって研究した。最後に,入射角度と偏光がT-SiNW散乱光角度分布に及ぼす影響を解析した。その結果,反転T-SiNWの消滅スペクトルは,正置の場合と全く同じであるが,その吸収スペクトルは,0.30.55μmの波長域において,70%以上の平均吸収/消光比をもつことを示した。水平に置いたT-SiNWの消スペクトル値が最大で、吸収スペクトル値が最小であるため、最も強い光捕集能力と最小の光吸収比があり、同時に、垂直入射光を近似レベルの方向に散乱させることもできる。垂直偏光と比較して,T-SiNWは,平行偏光に対する吸収係数が大きかったが,吸収/消光比は,より小さかった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 角分布 ,  幾何学 ,  吸収係数 ,  吸収スペクトル ,  消光 ,  太陽電池 ,  光吸収 ,  *偏光 ,  近似法 ,  *スペクトル ,  散乱光 ,  光触媒 ,  光電子 ,  近接場
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 偏光測定と偏光計  (BD07050K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 円錐 ,  シリコンナノワイヤ ,  スペクトル ,  挙動 ,  入射角 ,  偏光