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J-GLOBAL ID：202102214300700287   整理番号：21A0577373

CH(NH_2)_2PbI_3ペロブスカイト量子ドットから電荷輸送層へのElectronと正孔移動動力学の対比【JST・京大機械翻訳】

Contrasting Electron and Hole Transfer Dynamics from CH(NH2)2PbI3 Perovskite Quantum Dots to Charge Transport Layers

著者 (12件)： Lou Zhigang (Shanghai Ultra-Precision Optical Manufacturing Engineering Research Center, and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministry of Education), Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Liang Shuyan (Shanghai Ultra-Precision Optical Manufacturing Engineering Research Center, and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministry of Education), Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Yuan Jiabei (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, Suzhou 215123, China) ,  Ji Kang (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, Suzhou 215123, China) ,  Yuan Jianyu (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, Suzhou 215123, China) ,  Zhao Hongchang (Shanghai Ultra-Precision Optical Manufacturing Engineering Research Center, and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministry of Education), Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Xia Hong (Shanghai Ultra-Precision Optical Manufacturing Engineering Research Center, and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministry of Education), Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Ni Gang (Shanghai Ultra-Precision Optical Manufacturing Engineering Research Center, and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministry of Education), Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Sheng Chuanxiang (School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Ma Wanli (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, Suzhou 215123, China) ,  Chen Liangyao (Shanghai Ultra-Precision Optical Manufacturing Engineering Research Center, and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministry of Education), Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Zhao Haibin (Shanghai Ultra-Precision Optical Manufacturing Engineering Research Center, and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministry of Education), Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai 200433, China)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 10  号： 16  ページ： 5553  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,超高速過渡吸収分光法(TA)を利用して,新しいFAPbI_3(FA=CH(NH_2)_2)ペロブスカイト量子ドット(PQD)から電荷輸送層への電荷移動を初めて調べた。特に,純粋FAPbI_3 PQDs,電子と正孔移動層(ETLとHTL)の両方で成長したPQDs,およびETLまたはHTLのみのPQDのTAを比較した。光励起電子により誘起されたTA信号は,純粋なFAPbI_3PQDs(>1ns)と比較して,ETL(λ≧20ps)を有するPQD試料で非常に速く減衰した。これらの結果は,電子が結合PQDと20psの時間スケールでETL(TiO_2)への移動を効果的に輸送し,PQD(>1ns)内の二分子電荷再結合よりはるかに速く,電子移動効率は100%に近いと見積もる。対照的に,HTL有りと無しのPQDにおけるTA信号の時間発展は無視できる変化を示し,HTL(ポリ[ビス(4-フェニル)(2,4,6-トリメチルフェニル)アミン),PTAAへのサブスタントホール移動は1ns以内に起こらなかった。はるかに遅い正孔移動は,正孔拡散長を高め,HTLとPQD間のカップリングを微調整することにより,全体の光キャリア変換効率を増加させる更なる可能性を意味する。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *正孔 ,  太陽電池 ,  電荷移動 ,  光ポンピング ,  拡散距離 ,  移動層 ,  電子移動 ,  時間発展 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： *電荷輸送 ,  超高速 ,  変換効率 ,  電荷再結合 ,  微調整 ,  過渡吸収分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 太陽電池 ,  ペロブスカイト ,  量子ドット ,  FAPbI_3 ,  平面接合 ,  超高速過渡吸収分光法 ,  電荷移動

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (49件)：

• National Renewable Energy Laboratory (NREL). Available online: https://www.nrel.gov/pv/cell-efficiency.html (accessed on 3 June 2020).
• Green, M.A.; Ho-Baillie, A.; Snaith, H.J. The emergence of perovskite solar cells. Nat. Photon. 2014, 8, 506-514.
• Xing, G.; Mathews, N.; Sun, S.; Lim, S.S.; Lam, Y.M.; Grätzel, M.; Mhaisalkar, S.G.; Sum, T.C. Long-Range Balanced Electron-and Hole-Transport Lengths in Organic-Inorganic CH3NH3PbI3. Science 2013, 342, 344-347.
• Stranks, S.D.; Eperon, G.E.; Grancini, G.; Menelaou, C.; Alcocer, M.J.P.; Leijtens, T.; Herz, L.M.; Petrozza, A.; Snaith, H.J. Electron-Hole Diffusion Lengths Exceeding 1 Micrometer in an Organometal Trihalide Perovskite Absorber. Science 2013, 342, 341-344.
• Stavrakas, C.; Delport, G.; Zhumekenov, A.A.; Anaya, M.; Chahbazian, R.; Bakr, O.M.; Barnard, E.S.; Stranks, S.D. Visualizing Buried Local Carrier Diffusion in Halide Perovskite Crystals via Two-Photon Microscopy. ACS Energy Lett. 2019, 5, 117-123.

タイトルに関連する用語 (6件)： CH ,  ペロブスカイト量子ドット ,  電荷輸送 ,  正孔 ,  動力学 ,  対比