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J-GLOBAL ID：202102214575262232   整理番号：21A2624782

間接バンドギャップ光起電力材料Cs_2NaBiX_6(X=Cl,Br,I)の構造的,機械的,電子的および光学的性質に関する第一原理洞察【JST・京大機械翻訳】

First principle insight on the structural, mechanical, electronic and optical properties of indirect band gap photovoltaic material Cs₂NaBiX₆ (X= Cl, Br, I)

著者 (4件)： Anbarasan Radhakrishnan (SSN Research Centre, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering, Chennai, 603 110, India) ,  Sundar Jeyaperumal Kalyana (Department of Physics, Periyar University, Salem, 636 011, India) ,  Srinivasan Manikkam (SSN Research Centre, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering, Chennai, 603 110, India) ,  Ramasamy Perumalsamy (SSN Research Centre, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering, Chennai, 603 110, India)
資料名： Computational Condensed Matter  (Computational Condensed Matter)
巻： 28  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： W3478A  ISSN： 2352-2143  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,無機ペロブスカイト材料は,光起電力応用における構造安定性により,科学界で多くの注目を集めている。本研究では,密度汎関数理論計算によりCs_2NaBiCl_6,Cs_2NaBiBr_6およびCs_2NaBiI_6の構造,機械的,電子的および光学的性質を調べた。アニオン交換の影響とバンドギャップへの影響をバンド構造計算から研究した。機械的に,これら全ての材料は,本質的に延性として分類される。これらの材料のバンドギャップは,ハロゲン化物原子をClからIに交換すると,2.91eVから1.56eVまで直線的に減少した。すべての材料は紫外領域で望ましい光吸収を有し,Cs_2NaBiI_6吸収は220-520nmの範囲で可視領域に向かって赤方偏移した。これらの研究と比較結果は,Cs_2NaBiI_6が単一接合太陽電池応用に適した材料であることを確認した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 延性 ,  *光学的性質 ,  *光起電力 ,  赤方偏移 ,  バンド構造 ,  太陽電池 ,  光吸収 ,  *塩素 ,  ハロゲン化物 ,  陰イオン交換 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 紫外領域 ,  可視領域 ,  *間接バンドギャップ ,  密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ペロブスカイト構造 ,  バンドギャップ工学 ,  機械的性質 ,  太陽電池

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 間接バンドギャップ ,  光起電力 ,  Br ,  電子 ,  光学的性質 ,  第一原理 ,  洞察