抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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一定移動度,直接Id-Vgs,およびY関数を用いて,ナノCMOSデバイスにおけるソース/ドレイン直列抵抗(Rsd)とゲート長(L)の相関を研究した。結果は,一定移動度法で得たRsdがゲート長に無関係であり,ナノ小サイズCMOSデバイスのRsd値が14.3Ω10.9Ωであることを示した。直接Id-VgsとY関数法はいずれもLに関連するRsd値が得られ、誤差分析では直接Id-VgsとY関数の二つの方法から抽出したRsdがL依存性と抽出過程におけるゲート電圧による有効チャネル移動度(μeff)の低下に関係があることを発見した。導出過程においてこの影響が無視され、Rsd値が一つのゲート長に関連する量を重ねた。本文では、この重ね合わせの誤差値を計算し、この誤差値を除いた後の各ゲート長デバイスのRsd値を得た。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】