文献

J-GLOBAL ID：202102216051489460   整理番号：21A0315354

ナノCMOSデバイスにおけるソース/ドレイン直列抵抗ゲート長相関研究【JST・京大機械翻訳】

Study on the Gate Length Dependence of Source/Drain Series Resistance in Nanoscale CMOS devices

著者 (2件)： Ma Lijuan (南京高等職業技術学校,江蘇南京,21009) ,  Li Ru (南京高等職業技術学校,江蘇南京,21009)
資料名： Dianzi Ceshi  (Dianzi Ceshi)
号： 8  ページ： 30-33  発行年： 2020年 
JST資料番号： C4385A  ISSN： 1000-8519  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 一定移動度,直接Id-Vgs,およびY関数を用いて,ナノCMOSデバイスにおけるソース/ドレイン直列抵抗(Rsd)とゲート長(L)の相関を研究した。結果は,一定移動度法で得たRsdがゲート長に無関係であり,ナノ小サイズCMOSデバイスのRsd値が14.3Ω10.9Ωであることを示した。直接Id-VgsとY関数法はいずれもLに関連するRsd値が得られ、誤差分析では直接Id-VgsとY関数の二つの方法から抽出したRsdがL依存性と抽出過程におけるゲート電圧による有効チャネル移動度(μeff)の低下に関係があることを発見した。導出過程においてこの影響が無視され、Rsd値が一つのゲート長に関連する量を重ねた。本文では、この重ね合わせの誤差値を計算し、この誤差値を除いた後の各ゲート長デバイスのRsd値を得た。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  誤差解析 ,  重合せ ,  *CMOS
準シソーラス用語： *直列抵抗 ,  *ゲート長 ,  チャネル移動度 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノCMOS ,  ソース ,  ドレイン ,  直列抵抗 ,  ゲート長 ,  相関 ,  研究