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J-GLOBAL ID:202102216531396982   整理番号:21A0564806

ナノ-ミクロ複合材料を用いて作製したGISの絶縁スペーサモデルのためのSF_6ガス中のインパルスフラッシュオーバ特性【JST・京大機械翻訳】

Impulse Flashover Characteristics in SF6 Gas for Insulating Spacer Model of GIS Fabricated Using Nano-micro Composites
著者 (9件):
資料名:
巻: 2020  号: ICD  ページ: 810-813  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,ガス絶縁スイッチギア(GIS)の小型化のためのSF_6ガスにおけるクリープ放電耐性電圧特性に及ぼすナノマイクロ複合材料(NMC)の影響を研究した。本論文では,エポキシスペーサーモデルのフラッシュオーバ特性に及ぼすNMCの影響を調べるために,ナノマイクロ複合材料(NMC)材料を調製した。ミクロ複合材料(MC)を,エポキシ樹脂に関して47vol%に充填したビスフェノールA型エポキシ樹脂(EP)とミクロ充填剤SiO_2を混合して最初に調製した。MCを1vol%ナノ充填剤(SiO}_2,TiO_2,SrTiO_3)で充填し,NMCを調製した。実際のスペーサから縮小した寸法を有する絶縁スペーサモデル電極を調製し,SF_6ガス中のフラッシュオーバ電圧(FOV)を,波面でフラッシュオーバを引き起こす1ショットの負の標準電光インパルス電圧を印加し,改善効果を論じた。nSiO_2,nTiO_2およびnSrTiO_3を充填したNMCのFOVは,MCのそれと比較して,それぞれ19%,16%および22%増加した。NMCから成るスペーサのFOV増加はナノ充填剤の添加により深い電子トラップ準位を導入することによる試料表面からの電子放出の抑制に起因すると解釈される。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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