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J-GLOBAL ID：202102216963087696   整理番号：21A0030601

Ag_2Se薄膜に及ぼすアニーリングの影響の研究【JST・京大機械翻訳】

Studying the effect of the annealing on Ag₂Se thin film

著者 (4件)： Hasan Shaymaa Qasim abdul (Department of Physics, College of Education for Pure Science (Ibn Al- Haitham), University of Baghdad, Iraq) ,  Obaid Ahmed Z. (Department of Physics, College of Education for Pure Science (Ibn Al- Haitham), University of Baghdad, Iraq) ,  Mustafa Mohammed H. (Department of Physics, College of Education for Pure Science (Ibn Al- Haitham), University of Baghdad, Iraq) ,  Hassun Hanan K. (Department of Physics, College of Education for Pure Science (Ibn Al- Haitham), University of Baghdad, Iraq)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2307  号： 1  ページ： 020007-020007-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化銀(Ag_2Se)薄膜に及ぼすアニーリング効果を調べた。Ag_2Se薄膜を,450nmの厚さのガラス基板に基づく熱蒸着技術を用いて確立した。これらの薄膜を異なる温度値,すなわち(375,450)kで焼なました。本研究では,X線と原子間力顕微鏡(AFM)ベースの技術を用いて,Ag_2Se薄膜の物理的構造特性を調べた。さらに,吸光度と透過率スペクトルをさらに調べ,温度値の3つの異なる変化で(400~1000)ナノマテリアル(nm)の波長の範囲に従って記録した。その結果,試料の最大吸収値は450kの温度処理で達成され,最大透過率値は300kの温度で得られた。さらに,電子遷移の性質も評価した。結果は,この薄膜がアニーリングの前後で(1.9)と(1.7,1.4)電子ボルト(eV)の光学エネルギーギャップを有する直接許容遷移を有することを示した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  *焼なまし ,  真空蒸着 ,  電子遷移 ,  *薄膜 ,  波長 ,  スペクトル ,  透過率 ,  許容遷移 ,  原子間力顕微鏡 ,  ナノ材料 ,  吸光度
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  セレン化銀 ,  アニーリング効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  アニーリング ,  研究