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J-GLOBAL ID：202102217579467627   整理番号：21A1774938

電子チップ冷却におけるボルテックスジェネレータの挿入による熱伝達促進:数値研究【JST・京大機械翻訳】

Heat Transfer Enhancement by Insertion of Vortex Generators in Electronic Chip Cooling: A Numerical Study

著者 (2件)： Haque Mohammad Rejaul (Kansas State University, Manhattan, KS) ,  Betz Amy Rachel (Kansas State University, Manhattan, KS)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： ICNMM2017  ページ： Null  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Reynolds数の範囲に対して,チャネル上部に配置した楕円形状渦発生器(VG-銅)を有するインライン配置における3電子ブロック(シリコンチップ)上の強制対流熱伝達の2D数値研究を示した。ブロックは,CPUケーシングに設置された電子部品の加熱により,1000W/m2熱流束で規定された。結果は,渦発生器がチャネルにおける熱伝達を効果的に強化できることを示した。続いて,熱伝達と流体流特性に及ぼすReynolds数(500から1050),渦発生器の数(ベースライン,1,2と3),加熱ブロックのアスペクト比(0.125,0.15,0.22)と渦発生器のアスペクト比(0.3125,0.4,0.5)の影響を調べた。性能パラメータの特性を計算流体力学(CFD)の助けを借りて数値的に研究した。3VGは,Re=479での1VGケースと比較して,Nusselt数の約28.35%の増強を示した。圧力降下の変化は,他のパラメータに比べて高いReynolds数と比較して,低いReynolds数では少なかった。ブロックのアスペクト比の増加は対流係数を増加させ,一方,VGのアスペクト比の減少は熱伝達係数を増加させた。この増強は,冷却効果がチャネル入口に近いので,第三ブロックではそれほど顕著ではなかった。ブロック間の連続距離の増加は,付加的圧力降下のペナルティで熱伝達係数を高めた。しかし,最大熱伝達促進のためにパラメータ研究を行った。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 圧力損失 ,  対流 ,  *熱伝達 ,  熱伝達率 ,  熱流束 ,  電子部品 ,  Reynolds数 ,  Nusselt数 ,  *ボルテックスジェネレータ ,  二次元 ,  ペナルティ ,  計算流体力学 ,  *伝熱促進 ,  強制対流熱伝達
準シソーラス用語： 再生器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 対流・放射熱伝達  (PA02030K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子 ,  ボルテックスジェネレータ ,  熱伝達促進 ,  数値 ,  研究