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J-GLOBAL ID:202102217600198895   整理番号:21A0128638

ZnOナノヘテロ構造に基づく紫外光電気デバイス【JST・京大機械翻訳】

著者 (1件):
資料名:
号: 33  ページ: 72-73  発行年: 2020年 
JST資料番号: C4005A  ISSN: 2095-2945  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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水熱法によりp-GaN薄膜上にZnOナノロッドを成長させ,ZnOナノロッド/p-GaNヘテロ接合発光ダイオードを作製した。ZnOナノロッド/p-GaNヘテロ接合発光ダイオードの多面的なテストと分析を行った。逆破壊バイアス下でZnOナノロッド/p-GaNヘテロ接合発光ダイオードの白色エレクトロルミネセンスを観測し,どんな蛍光体も使用しなかった。また、ELスペクトルは紫外線、青色光と黄緑色光からなる。本論文では,これらの放出源について議論した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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発光素子  ,  半導体薄膜  ,  ダイオード  ,  塩基,金属酸化物  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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