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J-GLOBAL ID：202102217855478342   整理番号：21A3312766

高いSchottky障壁高さと低欠陥界面を有する完全透明InZnSnO/β-Ga_2O_3/InSnO太陽光ブラインド光検出器【JST・京大機械翻訳】

Fully transparent InZnSnO/β-Ga₂O₃/InSnO solar-blind photodetectors with high schottky barrier height and low-defect interfaces

著者 (7件)： Kim Hojoong (Department of Intelligent Mechatronics Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul 05006, Republic of Korea) ,  Seok Hae-Jun (School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do 25115, Republic of Korea) ,  Park Joon Hui (Department of Intelligent Mechatronics Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul 05006, Republic of Korea) ,  Chung Kwun-Bum (Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea) ,  Kyoung Sinsu (Research and Development, Powercubesemi Inc., Sujeong-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13449, Republic of Korea) ,  Kim Han-Ki (School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi-do 25115, Republic of Korea) ,  Rim You Seung (Department of Intelligent Mechatronics Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul 05006, Republic of Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 890  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超ワイドバンドギャップβ-Ga_2O_3フォトダイオードは,透明太陽ブラインド深紫外光検出器により大きな注目を集めている。透明導電性InZnSnOとInSnOをSchottkyとオーム接触としてそれぞれ導入した全ての酸化物系単結晶β-Ga_2O_3フォトダイオードを実証した。InZnSnOの高い仕事関数と低い抵抗率は,逆バイアスの-100Vまでの低い暗電流(<0.1nA)で明確な整流特性を可能にした。Schottky界面でのSchottky障壁高さと接合欠陥をポストアニーリング処理を用いて修正し,それによって深紫外光応答に影響した。アニールしたデバイスの応答性は9.6mA/Wで,ショットキー障壁高さ工学を低下させ,一方,光応答速度は劣化し,欠陥状態の発生により持続的光電流効果を引き起こした。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  光電流 ,  仕事関数 ,  *太陽 ,  *光検出器 ,  フォトダイオード ,  暗電流 ,  Ohm接触 ,  整流 ,  導電性
準シソーラス用語： 深紫外線 ,  光応答 ,  ワイドバンドギャップ ,  逆バイアス ,  ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： β-Ga_2O_3 ,  Schottky障壁ダイオード ,  ソーラーブラインド光検出器 ,  透明導電性酸化物

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： Schottky障壁高さ ,  欠陥 ,  界面 ,  太陽光 ,  ブラインド ,  光検出器