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J-GLOBAL ID：202102218856184835   整理番号：21A0298978

単層カーボンナノチューブ透明接触を有するn-/p-GaPナノワイヤのフレキシブル懸濁膜の製作と接触のための改質シリコーンゴム【JST・京大機械翻訳】

Modified silicone rubbers for fabrication and contacting of flexible suspended membranes of n-/p-GaP nanowires with single-walled carbon nanotube transparent contact

著者 (8件)： Kochetkov F M (Alferov University, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Neplokh V V (Alferov University, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Neplokh V V (Peter The Great St. Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, 195251, St. Petersburg, Russia) ,  Fedorov V V (Alferov University, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Bolshakov A D (Alferov University, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Cirlin G E (Alferov University, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Islamova R M (Saint Petersburg State University, 199034 Saint Petersburg, Russia) ,  Mukhin I S (Alferov University, St. Petersburg, 194021, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1695  号： 1  ページ： 012010 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,III-V半導体NW/シリコーン膜形成と光電子デバイス作製のための,新しい化学的および機械的材料および技術を提案した。分子線エピタキシー(MBE)合成n-,p-およびi-GaP NWを,合成したポリジメチルシロキサン-グラフト-ポリスチレンに導入G-被覆法によりカプセル化し,Si成長基板から放出した。作製した膜は,多層カーボンナノチューブドーピング有りと無しの単層カーボンナノチューブまたはフェロセニル含有ポリメチルヒドロシロキサンを含む異なる材料と接触した。作製した膜の電気的接続を電子ビーム誘起電流(EBIC)分光法で検証した。開発した方法と材料は高品質のフレキシブル無機オプトエレクトロニクスデバイスの作製に適用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *懸濁液 ,  電子ビーム ,  電流 ,  半導体 ,  ケイ素 ,  *シリコーンゴム ,  被覆 ,  *リン化ガリウム ,  ドーピング ,  MBE成長 ,  電子線誘起電流 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  多層カーボンナノチューブ ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単層カーボンナノチューブ ,  GAP ,  ナノワイヤ ,  懸濁 ,  製作 ,  改質 ,  シリコーンゴム