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J-GLOBAL ID：202102218995880258   整理番号：21A0797799

Dirac半金属Cd_3As_2の量子閉込めに対する反転非対称性の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Inversion Asymmetry on Quantum Confinement of Dirac Semimetal Cd₃As₂

著者 (2件)： Chou Christopher (Washington High School, 38442 Fremont Boulevard, Fremont, CA, USA 94536) ,  Goyal Manik (Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA 93106)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1777  号： 1  ページ： 012021 (7pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3DトポロジーDirac半金属Cd_3As_2の発見は,そのユニークな電子構造と輸送特性のため,新しいクラスの半金属を示し,新しいトポロジーデバイスにおける可能性を示した。Cd_3As_2の有望な特性は,そのトポロジー表面状態,超電子移動度,および線形バンド分散を含む。量子輸送シミュレーションパッケージKwantによるハイブリダイゼーションの有無による電子特性を測定することにより,Cd_3As_2の量子閉じ込めに及ぼす反転非対称性の影響を評価した。閉込めにより,Cd_3As_2は3Dトポロジー絶縁体と類似の状態を示し,バルク状態の輸送はギャップになり,表面状態が3Dトポロジー絶縁体と類似の輸送を支配した。したがって,以前の静電ゲーティング研究の分析により,HgTeや(Bi_1-xSb_x)_2Te_3のような他の既知の3Dトポロジー絶縁体とCd_3As_2の輸送特性とバンド構造を比較することができた。反転非対称性によるスピン縮退のリフティングを観測し,Cd_3As_2がトポロジーデバイス応用のための有望なプラットフォームを提供することを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  バンド構造 ,  電子構造 ,  *非対称性 ,  *半金属 ,  テルル化水銀 ,  縮退 ,  三次元 ,  *量子閉込め ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ゲーティング ,  輸送特性 ,  量子輸送 ,  *Dirac半金属 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Dirac半金属 ,  量子閉込め ,  反転 ,  非対称性