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J-GLOBAL ID：202102219158532823   整理番号：21A0187670

パワーデバイスを対象とした電力回生型連続スイッチング試験装置

Power regenerative continuous switching test system for power devices

著者 (2件)： 林真一郎 (東京都大) ,  和田圭二 (東京都大)
資料名： 電気学会研究会資料
号： EDD-20-050-064/SPC-20-200-214 電子デバイス研究会/半導体電力変換研究会  ページ： 69-74  発行年： 2020年12月21日 
JST資料番号： Z0924B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,パワーデバイスの連続スイッチング試験のための試験回路の設計法を提案する。これらの試験回路は,電力回生を達成するために縦続接続バックブースト(またはブーストバック)コンバータから成る。さらに,正常動作時と被験デバイスが故障したときのような異常動作時の回路設計も行う。本提案の設計方法に基づいて試験回路を設計し,本提案の設計方法の妥当性を実験結果により示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *電力回生 ,  *MOSFET ,  信頼性試験 ,  信頼性 ,  テスト構造 ,  回路設計 ,  縦続接続 ,  DC-DCコンバータ ,  動作 ,  *短絡【電気】 ,  試験装置 ,  チョッパ回路 ,  回路解析 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  連続スイッチング試験 ,  *SiC MOSFET ,  *長期信頼性 ,  試験回路 ,  バックブーストコンバータ ,  異常動作 ,  昇圧チョッパ ,  降圧チョッパ ,  *連続スイッチング試験装置

分類 (2件)： その他の電磁気的量の計測法・機器  (AD07070F) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (13件)：

• X. Jiang, J. Wang, J. Chen, H. Yu, Z. Li, and Z. J. Shen, ′′Investigation on Degradation of SiC MOSFET under Accelerated Stress in PFC Converter,′′ IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, Early Access, 2020.
• A. Fayyaz and A. Castellazzi, ′′High temperature pulsed-gate robustness testing of SiC power MOSFETs,′′ Microelectronics Reliability, vol. 55, no. 9-10, pp. 1724-1728, 2015.
• J. O. Gonzalez and O. Alatise, ′′Bias temperature instability and condition monitoring in SiC power MOSFETs,′′ Microelectronics Reliability, vol. 88-90, pp. 557-562, 2018.
• Y. Mori, D. Hisamoto, N. Tega, M. Matsumura, H. Yoshimoto, A. Shima, and Y. Shimamoto, ′′Effects of interface properties in SiC MOSFETs on reliability,′′ in Proc. 2015 IEEE 22nd International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, Hsinchu, Taiwan, Jun. 2015.
• ′′Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods- Part 23: High temperature operating life,′′ International Electrotechnical Commission, IEC 60749-23, Edition 1.1, 2011.

タイトルに関連する用語 (4件)： パワーデバイス ,  電力回生 ,  スイッチング ,  試験装置