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J-GLOBAL ID：202102219199475890   整理番号：21A0148079

一次元電子チャネルを有する絶縁六方晶窒化ホウ素における優れた電荷とスピン輸送【JST・京大機械翻訳】

Excellent charge and spin transport in insulating hexagonal boron nitride with one-dimensional electron channel

著者 (2件)： Zeng Jing (College of Physics and Electronic Engineering, Hengyang Normal University, Hengyang 421002, P. R. China. [e-mail]) ,  Chen Ke-Qiu
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 48  ページ： 17269-17276  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広いバンドギャップを有する六方晶窒化ホウ素(hBN)の応用展望は,一般にエレクトロニクスの分野で制限されると考えられている。しかし,最近の実験は,1次元電子チャネルとして見なせる数層hBNの原子的に鋭いAA′/AB積層境界が見出されている(H.J.Park,J.Cha,M.Choi,J.H.Kim,R.Y.Tay,E.H.T.Teo,N.Park,S.HongおよびZ.Lee,Sci.Adv.,2020,6,eaay4958),単一hBN電子素子を設計する機会を開いた。一次元電子チャネルを有するhBNは,統合機能性電子素子への応用を実現するので,その輸送挙動を調べるのは,非常に重要でタイムリーである。ここでは,密度汎関数理論と組み合わせた非平衡Green関数を用いて,2種類の金属電極に結合した一次元電子チャネルを持つhBNの電子輸送特性を調べた。バリスタ型挙動,ほぼ完全なスピン分極,および大きな磁気抵抗を含む,種々の輸送特性が観察された。これらの結果は,一次元電子チャネルを有するhBNが,過電流保護デバイスおよびスピン論理およびメモリデバイスを開発するための大きな可能性を有することを示した。電子クロストークが次世代高性能電子回路の開発を妨げる主要な障害であるので,一次元電子チャネルを有する絶縁hBNに基づく集積回路は,この問題を解決する際に大きな有望性を持っている。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  磁気抵抗 ,  集積回路 ,  バリスタ ,  スピン分極 ,  電子技術 ,  *一次元 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  クロストーク
準シソーラス用語： *スピン輸送 ,  電子素子 ,  金属電極 ,  非平衡Green関数 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  チャネル ,  絶縁 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  電荷 ,  スピン輸送