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J-GLOBAL ID：202102219357838206   整理番号：21A3314362

増強された光触媒活性を有する空孔工学ビスマス系半導体:レビュー【JST・京大機械翻訳】

Vacancy-engineered bismuth-based semiconductor with enhanced photocatalytic activity: A review

著者 (5件)： Liu Sitong (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology (Ministry of Education), College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Sun Jianpeng (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology (Ministry of Education), College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Ren Guangmin (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology (Ministry of Education), College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Meng Xiangchao (Key Laboratory of Marine Chemistry Theory and Technology (Ministry of Education), College of Chemistry and Chemical Engineering, Ocean University of China, Qingdao 266100, China) ,  Meng Xiangchao (Department of Chemical and Biological Engineering, University of Ottawa, Ottawa, Ontario, K1N 6N5, Canada)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 137  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空格子点の導入はビスマス系光触媒を含む半導体の光触媒活性を改善するためにますます注目を集めている。理論的には,空孔は,半導体が太陽光スペクトルでより多くの可視光を捕獲できるバンドギャップを狭めるだけでなく,光触媒の表面上により反応性のサイトを提供する。このレビューにおいて,光触媒における空格子点工学ビスマス系半導体に関する最近の進展を,包括的に総括し,議論し,種々の応用における光触媒活性の改善における空孔の空格子点および機能を検出する方法,キャラクタリゼーションアプローチを含む。最後に,光触媒における空格子点工学ビスマス系半導体に関する将来の研究のための課題と提案戦略を提案した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  *ビスマス ,  太陽エネルギー ,  可視光 ,  キャラクタリゼーション ,  *光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *光触媒活性 ,  太陽光スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ビスマス系半導体 ,  空格子点 ,  光触媒 ,  バンド構造 ,  太陽エネルギー

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 増強 ,  光触媒活性 ,  空孔 ,  工学 ,  ビスマス ,  レビュー