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J-GLOBAL ID：202102220378857706   整理番号：21A0877212

高密度クロスポイントアレイ構造のためのHfAlO_xベースメモリスタにおける相補抵抗スイッチングの非線形特性【JST・京大機械翻訳】

Nonlinear Characteristics of Complementary Resistive Switching in HfAlOx-Based Memristor for High-Density Cross-Point Array Structure

著者 (2件)： Choi Junhyeok ,  Kim Sungjun
資料名： Coatings (Web)  (Coatings (Web))
巻： 10  号： 8  ページ： 765  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7162A  ISSN： 2079-6412  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高密度交差点アレイを実装するために使用されたHfAlOxベースメムリスタからの相補的抵抗スイッチング(CRS)様曲線の非線形電流電圧(IV)特性を提示した。Pt/HfAlO_x/窒化チタンデバイスは,Pt/HfO_2/窒化チタンまたはPt/Al_2O_3/窒化チタンデバイスと比較して,より低いオン電流およびより大きな選択性を有した。成形プロセス後のオン電流と最初のリセットピーク電流がCRS様曲線を得るために重要であることを示した。実用的な応用のためのパルス応答下で高い非線形性を持つ過渡的CRS様特性を実証した。最後に,高い選択性のための最適条件を見つけると,計算読取限界は,CRS様曲線を有するPt/HfAlO_x/窒化チタンデバイスが高密度交差点アレイでの使用に最も適していることを証明した。著者らの結果は,Pt/HfAlO_x/窒化チタン単層デバイスにおけるビルトインセレクタ特性が,交差点構造に含まれるプロセスの単純さに関してかなりの可能性を提供することを示唆する。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *電流 ,  交差点 ,  非線形性 ,  単一層 ,  最適条件 ,  パルス応答
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  ピーク電流 ,  高密度 ,  *抵抗スイッチング ,  成形過程 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： HfAlO_xベースメモリスタ ,  相補型抵抗スイッチング ,  微細構造 ,  非線形性

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (37件)：

• Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, C.; Szot, K. Redox-based resistive switching memories nanoionic mechanisms, prospects, and challenges. Adv. Mater. 2009, 21, 2632-2663.
• Chang, K.C.; Chang, T.C.; Tsai, T.M.; Zhang, R.; Hung, Y.C.; Syu, Y.E.; Chang, Y.F.; Chen, M.C.; Chu, T.J.; Chen, H.L.; et al. Physical and chemical mechanisms in oxide-based resistance random access memory. Nanoscale Res. Lett. 2015, 10, 120.
• Kim, S.; Jung, S.; Kim, M.H.; Cho, S.; Park, B.G. Resistive switching characteristics of Si3N4-based resistive-switching random-access memory cell with tunnel barrier for high density integration and low-power applications. Appl. Phys. Lett. 2015, 106, 212106.
• Russo, U.; Ielmini, D.; Cagli, C.; Lacaita, A.L. Self-accelerated thermal dissolution model for reset programming in unipolar resistive-switching memory (RRAM) devices. IEEE Trans. Electron Devices 2009, 56, 193-200.
• Larentis, S.; Nardi, F.; Balatti, S.; Gilmer, D.C.; Ielmini, D. Resistive switching by voltage-driven ion migration in bipolar RRAM-Part II: Modeling. IEEE Trans. Electron Devices 2012, 59, 2468-2475.

タイトルに関連する用語 (3件)： メモリスタ ,  抵抗スイッチング ,  非線形特性