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J-GLOBAL ID：202102220656304204   整理番号：21A0874826

300mm(001)Si上のInAs/GaSbヘテロ構造の集積のためのGaSbのナノリッジ工学【JST・京大機械翻訳】

Nano-Ridge Engineering of GaSb for the Integration of InAs/GaSb Heterostructures on 300 mm (001) Si

著者 (13件)： Baryshnikova Marina (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Mols Yves (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Ishii Yoshiyuki (Sony Semiconductor Solutions Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Alcotte Reynald (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Alcotte Reynald (KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 10, 3001 Leuven, Belgium) ,  Han Han (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Hantschel Thomas (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Richard Olivier (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Pantouvaki Marianna (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Campenhout Joris Van (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Thourhout Dries Van (Department of Information Technology Technologiepark-Zwijnaarde, Ghent University, 15, 9052 Gent, Belgium) ,  Langer Robert (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Kunert Bernardette (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 10  号： 4  ページ： 330  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノリッジ工学(NRE)は,Si基板上の格子不整合III-Vデバイスのモノリシック統合のための新しいヘテロエピタキシャルアプローチである。300mmのSiウエハ上のナノリッジ(NR)レーザダイオードとヘテロ接合バイポーラトランジスタの実現のためのGaAsへの適用に成功した。本報告では,Si上の狭いバンドギャップヘテロ構造の統合のために,NREをGaSbに拡張した。GaSbは,300mmのSi基板上に作製した狭い酸化物溝における選択的領域成長によって堆積し,アスペクト比トラッピングによって欠陥密度を減少させた。GaSb成長を継続し,酸化物パターン上のNR形状をNREにより操作し,広い(001)NR表面を達成した。GaSb NRsの貫通転位と平面欠陥密度に及ぼす異なるシード層(GaAsとInAs)の影響を,TEMのみと比較して,透過電子顕微鏡(TEM)と電子チャネリングコントラストイメージング(ECCI)を用いてトレンチ幅の関数として調べ,TEMのみと比較して著しく良好な欠陥統計を提供した。InAs/GaSb多層ヘテロ構造を最適化NR構造のトップに追加した。高い結晶品質と低い欠陥密度は300mmのSi基板上の赤外光電子デバイスに対するこのモノリシック集積法の可能性を強調する。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  赤外線 ,  *ケイ素 ,  酸化物 ,  ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  バンドギャップ ,  欠陥密度 ,  格子不整合 ,  貫通転位
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  シード層 ,  モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： シリコン上のIII-V ,  モノリシックIII-V積分 ,  ヘテロエピタクシー ,  赤外レーザ ,  MOVPE ,  InAs/GaSbヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (51件)：

• Wang, R.; Vasiliev, A.; Muneeb, M.; Malik, A.; Sprengel, S.; Boehm, G.; Amann, M.-C.; Šimonytė, I.; Vizbaras, A.; Vizbaras, K.; et al. III-V-on-silicon photonic integrated circuits for spectroscopic sensing in the 2-4 μm wavelength range. Sensors 2017, 17, 1788.
• Singh, V.; Lin, P.T.; Patel, N.; Lin, H.; Li, L.; Zou, Y.; Deng, F.; Ni, C.; Hu, J.; Giammarco, J.; et al. Mid-infrared materials and devices on a Si platform for optical sensing. Sci. Technol. Adv. Mater. 2014, 15, 014603-014618.
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• Tournié, E.; Cerutti, L.; Rodriguez, J.-B.; Liu, H.; Wu, J.; Chen, S. Metamorphic III-V semiconductor lasers grown on silicon. MRS Bull. 2016, 41, 218-223.
• Rogalski, A.; Martyniuk, P.; Kopytko, M. InAs/GaSb type-II superlattice infrared detectors: Future prospect. Appl. Phys. Rev. 2017, 4, 031304.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  InAs ,  GaSb ,  ヘテロ構造 ,  集積 ,  リッジ ,  工学