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J-GLOBAL ID：202102221055345351   整理番号：21A0258269

容易な経路で合成されたZn(Te_1-xSe_x)量子ドットとそれらのバンド端および表面状態駆動可視光発光【JST・京大機械翻訳】

Zn(Te_1-x Se _x ) quantum dots synthesized through a facile route and their band-edge and surface state driven visible-light emission

著者 (3件)： Tsukuda Satoshi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Kita Masao (Department of Mechanical Engineering, National Institute of Technology, Toyama College, 13 Hongo-machi, Toyama, 939-8630, Japan) ,  Omata Takahisa (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 231  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Zn(Te_1-xSe_x)量子ドット(QDs)を亜鉛源として酢酸亜鉛を用いた熱注入法により合成した。Zn(Te_1-xSe_x)QDの組成,xは,反応溶液中のTeとSe前駆体のモル比を変えることによって,0~0.28の範囲で容易に制御された。種々のサイズ(3.8から6.0nmの直径)を有するx=0.24±0.04のZn(Te_1-xSe_x)QDは,530から579nmまでの可視領域でピーク波長を有するサイズ依存性光ルミネセンス(PL)発光を示した。PL発光バンドはバンド端発光だけでなく欠陥関連発光にも関与した。PL発光の原因となる欠陥は,QD表面のTeダングリングボンドに起因した。表面状態PL発光の電子遷移は,Teダングリングボンドから生じる1S_e量子準位からアクセプタ準位への遷移であると結論した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子遷移 ,  *発光 ,  半導体 ,  光ルミネセンス ,  亜鉛 ,  *セレン ,  *テルル ,  *可視光 ,  前駆体 ,  ダングリングボンド ,  *量子ドット ,  アクセプタ準位 ,  可視領域 ,  *バンド端

著者キーワード (5件)： 量子ドット ,  蛍光体 ,  合金 ,  カドミウムフリー ,  II-VI半導体

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： 酢酸亜鉛

タイトルに関連する用語 (5件)： 経路 ,  Zn ,  量子ドット ,  バンド端 ,  可視光