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J-GLOBAL ID：202102221596555771   整理番号：21A2529220

LiDAR応用のための高近赤外感度の4タップロックインピクセルを用いた飛行時間距離センサ【JST・京大機械翻訳】

A Time-of-Flight Range Sensor Using Four-Tap Lock-In Pixels with High near Infrared Sensitivity for LiDAR Applications

著者 (6件)： Lee Sanggwon (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Yasutomi Keita (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Morita Masato (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Kawanishi Hodaka (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Kawahito Shoji (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Kawahito Shoji (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan)
資料名： Sensors (Web)  (Sensors (Web))
巻： 20  号： 1  ページ： 116  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7015A  ISSN： 1424-8220  CODEN： SENSC9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.2mシリコンオンインシュレータ(SOI)相補型金属酸化物半導体(CMOS)技術を用いたバック照明(BSI)飛行時間(TOF)センサを長距離レーザイメージング検出と測距(LiDAR)応用のために開発した。SOI基板における200m厚さのバルクシリコンは,近赤外(NIR)領域におけるより高い量子効率(QE)のために背面に高い負電圧を適用することにより完全に空乏される。提案したSOIベースの4タップ電荷変調器は,NIR領域で71%の高い高速電荷変調と高い変調コントラストを達成した。さらに,画素内ドレイン関数を短パルスTOF測定に用いた。27mまでの距離測定を,+1.8Ω≦3.0%の直線性誤差と4.5cmの屋外条件での範囲分解能で行った。55%の測定したQEは940nmで達成され,これは太陽放射の減少したスペクトル成分による屋外使用に適している。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コントラスト ,  電荷 ,  太陽放射 ,  変調器 ,  スペクトル ,  画素 ,  *近赤外線 ,  パルス ,  距離測定 ,  センサ ,  量子効率 ,  CMOS
準シソーラス用語： CMOSイメージセンサ ,  *飛行時間 ,  ロックイン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CMOSイメージセンサ ,  SOI検出器 ,  背面照明 ,  飛行時間 ,  ロックインピクセル

分類 (1件)： ロボットの運動・制御  (IC04012J)

引用文献 (26件)：

• Shcherbakova, O.; Pancheri, L.; Dalla Betta, G.-F.; Massari, N.; Stoppa, D. 3D camera based on linear-mode gain-modulated avalanche photodiodes. In Proceedings of the 2013 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), San Francisco, CA, USA, 17-21 Februay 2013; pp. 490-491.
• Akita, H.; Takai, I.; Azuma, K.; Hata, T.; Ozaki, N. An Imager using 2-D Single-Photon Avalanche Diode Array in 0.18-μm CMOS for Automotive LIDAR Application. In Proceedings of the 2017 Symposium on VLSI Circuits, Kyoto, Japan, 5-8 June 2017.
• Kawahito, S.; Abdul Halin, I.; Ushinaga, T.; Sawada, T.; Homma, M.; Maeda, Y. A CMOS time-of-flight range image sensor with gates-on-field-oxide structure. IEEE Sens. J. 2007, 7, 1578-1586.
• Lange, R.; Seitz, P. Solid-state time-of-flight range camera. IEEE J. Quantum Electron. 2001, 37, 390-397.
• Niclass, C.; Soga, M.; Matsubara, H.; Ogawa, M.; Kagami, M. A 0.18-m CMOS SoC for a 100-M-range 10-frame/s 200 96-pixel time-of-flight depth sensor. IEEE J. Solid State Circuits 2014, 49, 315-330.

タイトルに関連する用語 (6件)： LIDAR ,  応用 ,  近赤外 ,  感度 ,  飛行時間 ,  距離センサ