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J-GLOBAL ID:202102221600131718   整理番号:21A0147869

窒素イオン注入による埋め込み超伝導Mo_2Nの形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of buried superconducting Mo2N by nitrogen-ion-implantation
著者 (8件):
資料名:
巻: 10  号: 72  ページ: 44339-44343  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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窒素イオン注入は窒素イオンを格子に置く有用な技術である。本研究では,エピタキシャルMo膜への窒素イオン注入を行い,埋込み超伝導γ-Mo_2Nを作製した。原子的に平坦なエピタキシャル(110)Mo膜を(0001)Al_2O_3上に成長させた。ビームエネルギーが20keVに固定される衝突窒素イオンによって,(111)γ-Mo_2N回折とX線反射率からのγ-Mo_2N層の形成を観測した。磁化と輸送測定は,注入された膜の超伝導層を明確に支持する。著者らの戦略は,埋込み超伝導層の形成がイオン注入と自己アニーリングによって達成できることを示した。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 
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