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J-GLOBAL ID：202102221766566508   整理番号：21A0241806

BiおよびBi_0.97Sb_0.03ナノ収縮におけるトンネル接合【JST・京大機械翻訳】

Tunnel junctions in Bi and Bi_0.97Sb_0.03 nanoconstrictions

著者 (4件)： Konopko L. (Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies (Moldova)) ,  Nikolaeva A. (Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies (Moldova)) ,  Huber T. (Howard Univ. (United States)) ,  Slobodeniuc C. (Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnologies (Moldova))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11718  ページ： 117181R-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,ガラス絶縁におけるマイクロワイヤに基づいて作られたナノ拘束における電界放出効果を調べた。BiとBi-Sbのガラス被覆単結晶マイクロワイヤをUlitovsky法により製作した。次に,局所レーザ加熱法を用いて,ナノ拘束を行った。BiとBi_0.97Sb_0.03ナノ収縮で得た電界電子放出を,ゲート電極上の様々な温度と異なる電位で調べた。ゲート電極上の電位に依存して電界放出電子電流の変化を観測した。この差ΔI/I=0.26は電界効果によるマイクロワイヤ先端電位の変化の兆候である。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ガラス ,  単結晶 ,  電位 ,  電界放出 ,  電場効果 ,  *ビスマス ,  レーザ加熱 ,  *トンネル接合
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  マイクロワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Bi ,  収縮 ,  トンネル接合