文献

J-GLOBAL ID：202102222643762885   整理番号：21A0333541

ナノインデンテーション法による単結晶シリコンのマルテンス硬さ値に及ぼす結晶面の影響(第3報)

Effects of Crystal Face on Martens Hardness of Single-Crystal Silicon in Nanoindentation(3rd Report)

著者 (5件)： 福田勝己 (東京工高専) ,  小林光男 (工学院大) ,  角田陽 (東京工高専) ,  高畦千翔 (東京工高専) ,  本多千絵 (東京工高専)
資料名： 日本機械学会東海支部総会講演会講演論文集  (日本機械学会東海支部総会講演会講演概要集)
巻： 61st (Web)  ページ： ROMBUNNO.531(J-STAGE)  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： L0013A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノインデンテーション ,  *ケイ素 ,  引かき硬さ ,  硬度 ,  *結晶面 ,  結晶方位 ,  ウエハ【IC】 ,  ダイヤモンド
準シソーラス用語： マルテンス硬さ ,  *単結晶シリコン

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  結晶学一般  (BK05010Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノインデンテーション ,  単結晶シリコン ,  硬さ ,  結晶面