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J-GLOBAL ID：202102222726260279   整理番号：21A0164800

剪断速度と温度に対する炭化ケイ素によりサンドイッチされた水層の構造の依存性【JST・京大機械翻訳】

Dependency of the structure of a water layer sandwiched by silicon carbide on shear speed and temperature

著者 (7件)： Lin Bin (Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300350, People’s Republic of China) ,  Wei Chibin (Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300350, People’s Republic of China) ,  Wang Anying (Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300350, People’s Republic of China) ,  Zou Hongbo (Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300350, People’s Republic of China) ,  Zhang Xiaofeng (Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300350, People’s Republic of China) ,  Sui Tianyi (Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300350, People’s Republic of China) ,  Yan Shuai (Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300350, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 33  号： 9  ページ： 095001 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第3世代半導体として,炭化ケイ素電力素子は,その高い電圧抵抗,低い損失,および高効率のため,シリコンで作られたものより優れていることが期待される。したがって,炭化ケイ素の研磨ウエハの技術の理解は重要であり,炭化ケイ素の表面上の液体の構造の研究を含む。Lennard-Jones場に基づく分子動力学を用いて,2つの炭化ケイ素(<001>および<110>)壁内に含まれる水膜の構造を解析し,水の層が2つの壁間の距離に依存して現れ,変化することを見出した。二重層水構造が形成されるとき,それは温度と剪断速度によって影響を受ける。結論は,温度上昇または剪断速度が増加するとき,二重層水構造が単層水構造に容易に変換し,そして,2つの固体表面の間の圧力は次第に減少し,負になるかもしれない。この現象は,2つの炭化ケイ素壁間の距離に大きく依存する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 研磨 ,  電圧 ,  半導体 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *温度依存性 ,  単一層 ,  分子動力学 ,  昇温 ,  *剪断速度
準シソーラス用語： 高効率 ,  二重層 ,  パワーデバイス ,  固体表面 ,  水膜 ,  水構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 剪断速度 ,  炭化ケイ素 ,  サンドイッチ ,  水層 ,  依存性