ドライエッチングによるa-IGZO TFT安定性の特徴

CHOI JongHoon; KIM SungJin; KIM HyungTae; CHO Sung Min

文献

J-GLOBAL ID：202102223342621024 整理番号：21A0834606

ドライエッチングによるa-IGZO TFT安定性の特徴

Characteristics of a-IGZO TFT Stability by Dry Etching

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資料名：
巻： 24th ページ： ROMBUNNO.AMDp1-12 発行年： 2017年12月05日
JST資料番号： L4269B ISSN： 1883-2504 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・ドライエッチングがアモルファス酸化インジウム・ガリウム・亜鉛薄膜トランジスタ(a-IGZO TFT)の特性に与える影響について調査。
・a-IGZO TFTの製造プロセスでプラズマ処理やドライエッチングが実施されるが,それらがTFTの伝達特性を変化させる可能性のあることを指摘。
・本研究では,a-IGZO TFT活性層に関して,ドライエッチングが損傷を与えるメカニズムや安定性について検討し,得られた知見を提示。
・本研究は,ロール・ツー・ロール方式のインプリントリソグラフィーを用いたドライエッチングがa-IGZO TFTに及ぼす損傷メカニズムを理解することに貢献。

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トランジスタ

引用文献 (4件)：

J. S. Kim, M. K. Joo, M. Piao, S. E. Ahn, Y. H. Choi, H. K. Jang and G. T. Kim, “Plasma treatment effect on charge carrier concentrations and surface traps in a-InGaZnO thin film transistors,” Journal of Applied Physics, Vol. 115, No. 11, pp. 114503 (2014).
X. Liu, L. Wang, H. Hu, X. Lu, K. Wang, G. Wang and S. Zhang, “Performance and stability improvements of back channel etched amorphous indium-gallium-zinc thin-film transistors by CF₄+O₂ plasma treatment,” IEEE Electron Device Letters, Vol. 36, No. 9, pp.911-913 (2015).
J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim and S. I. Kim, “Improvements in the device characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors by Ar plasma treatment,” Applied Physics Letters, Vol. 90, No.26, pp. 262106 (2007).
H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, J. S. Park and H. J. Kim, “The effect of thermal annealing sequence on amorphous InGaZnO thin film transistor with a plasma-treated source-drain structure,” Thin Solid Films, Vol. 517, No. 23, pp. 6349-6352 (2009).

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