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J-GLOBAL ID：202102223606589418   整理番号：21A0228525

a-Si_1□_xC_x:H膜の発光に及ぼす熱処理の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of the thermal treatments on the emission of a-Si_1-xC_x:H films

著者 (4件)： Meneses M. (National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics,Puebla,Me ́xico) ,  Moreno M. (National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics,Puebla,Me ́xico) ,  Sanchez A. Morales (National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics,Puebla,Me ́xico) ,  Mendoza J.C. (National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics,Puebla,Me ́xico)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CCE  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質炭化けい素(a-Si_1≡xC_x:H)膜をプラズマ増強化学蒸着(PECVD)により合成し,それらの構造的および光学的性質を,種々の温度(400,500,600および800°C)で窒素環境中で急速熱アニーリング(RTA)により改質した。構造的および光学的特性を,Fourier変換赤外分光法(FTIR)および光ルミネセンス(PL)としてキャラクタリゼーション技術によって研究した。気相中の炭素含有量の56%(R50)と82%(R300)のa-Si_1≡xC_x:H膜は,緑色と青色領域でそれぞれPLバンドを放出する。R50膜のPLバンドの強度は,400°Cと500°CでRTAに曝すと増加し,アニーリング温度が増加すると短波長側にシフトした。他方,R300膜のPL強度はRTAプロセス後に減少し,PLバンドは青紫色領域にシフトした。R50膜のPL強度の増加は酸素に関連した新しい放射再結合中心の形成によって説明でき,シフトは構造変化に起因した。RTAプロセス中の膜の構造に取り込まれた酸素原子をFTIR結果で観察した。一方,熱処理R300膜のPL強度の減少は,膜の酸化を促進する原子スケールのボイドの存在に関連している。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *熱処理 ,  光ルミネセンス ,  酸素 ,  窒素 ,  水素化 ,  炭化ケイ素 ,  非晶質 ,  短波 ,  気相 ,  プラズマCVD ,  RTA【熱処理】
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  酸素原子 ,  原子スケール ,  放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (1件)： 熱処理