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J-GLOBAL ID：202102224179551374   整理番号：21A2636947

非冷却ホモ接合GeSn中赤外光検出器の達成可能な性能【JST・京大機械翻訳】

Achievable Performance of Uncooled Homojunction GeSn Mid-Infrared Photodetectors

著者 (6件)： Chang Guo-En (Department of Mechanical Engineering and the Advanced Institute of Manufacturing with High-Tech Innovations (AIMHI), National Chun Cheng University, Chiayi County, Taiwan) ,  Yu Shui-Qing (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, USA) ,  Liu Jifeng (Thayer School of Engineering, Dartmouth College, Hanover, NH, USA) ,  Cheng Hung-Hsiang (Center for Condensed Matter Sciences and Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Soref Richard A. (Department of Engineering, University of Massachusetts-Boston, Boston, MA, USA) ,  Sun Greg (Department of Engineering, University of Massachusetts-Boston, Boston, MA, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： ROMBUNNO.3800611.1-11  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge_1-xSn_x光検出器(PD)は,広範囲の応用に対して,新しいタイプの中赤外(MIR)CMOS互換PDとして浮上している。ここでは,MIR検出技術の進歩における可能性を実証する目的で,歪フリーで欠陥の無いGe_1-xSn_x活性層を有するGe_1-xSn_xp-i-nホモ接合PDの達成可能な性能を評価するための包括的な理論的研究を示した。Sn-組成依存バンド構造から出発して,理論モデルは光吸収,応答性,暗電流密度,および検出性を計算した。結果は,光応答性が,光生成電子と正孔の改善された光吸収と大きな移動度と拡散長のため,Sn取り込みによって強化できることを示した。しかし,暗電流密度はSn組成の増加とともに増加する。著者らのモデルは,Ge_1-xSn_xPDの光検出範囲がMIR領域に拡張できるだけでなく,室温でのそれらの検出性は,既存のMIR技術と競合でき,いくつかの場合には,より低い温度で運転されるいくつかの市販PDよりも良好であることを示唆する。本研究では,Ge_1-xSn_xMIR技術で,その材料開発の成熟度を,その非常に予想されるCMOS互換の利点に加えて,その材料開発の成熟度と共に,潜在的に達成可能な極限性能を確立した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  正孔 ,  *赤外線 ,  バンド構造 ,  光吸収 ,  *光検出器 ,  光生成 ,  応答特性 ,  *スズ ,  拡散距離 ,  暗電流 ,  *光検出 ,  活性層
準シソーラス用語： 理論モデル ,  光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (2件)： ホモ接合 ,  光検出器