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J-GLOBAL ID:202102224191420198   整理番号:21A0231820

CMOS45nm技術による140GHzの低電力FMCWトランシーバ設計【JST・京大機械翻訳】

Low Power FMCW Transceiver Design With 140-ghz in CMOS 45nm Technology
著者 (2件):
資料名:
巻: 2020  号: INOCON  ページ: 1-6  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,単一アンテナFMCWレーダのために,相補的金属酸化物半導体(CMOS)トランシーバを利用した。しかし,トランスミッター(Tx)漏洩はCMOS技術に基づく単一アンテナFMCWでは困難であった。この課題を克服するために,包括的漏洩キャンセル法を導入し,平衡構造,余分な面積/電力およびアンテナ反射を有する損失性基板によって生成される漏れを引出すことができた。差動入力信号(DIS)を3つの出力直交次数の3つの入力に分割するために,電力分割器(PD)受動デバイスを3方向変圧器に基づいて使用する。Gilbert Mixer(GM)を,低中間周波数における線形性と帯域幅を改善するために,受動ミキサの代わりに提案したトランシーバアーキテクチャに用いた。低雑音増幅器(LNA)において,微分カスケード増幅器による中和キャパシタを,受信機部分に対する利得と安定性を見つけるために行った。本研究では,GMベースのFMCWトランシーバを45nm CMOS技術で140GHz帯域幅で実装した。実験結果は,GM-FMCWトランシーバが,出口トランシーバ設計の性能を改善し,比較したことを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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