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J-GLOBAL ID:202102224230163641   整理番号:21A1575361

コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製(2)

Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching (2)
著者 (9件):
資料名:
巻: 68th  ページ: ROMBUNNO.19p-Z25-3  発行年: 2021年02月26日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
蛋白質・ペプチド一般  ,  半導体レーザ  ,  レーザの応用  ,  分析機器 

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