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J-GLOBAL ID：202102224230163641   整理番号：21A1575361

コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製(2)

Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching (2)

著者 (9件)： 渡久地政周 (北大 量集セ) ,  三輪和希 (北大 量集セ) ,  堀切文正 (サイオクス) ,  福原昇 (サイオクス) ,  成田好伸 (サイオクス) ,  市川磨 (サイオクス) ,  磯野僚多 (サイオクス) ,  田中丈士 (サイオクス) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19p-Z25-3  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： *エッチング ,...
準シソーラス用語： 逆バイアス ,...

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分類 (4件)： 蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： コンタクト ,  レス ,  光電気化学エッチング ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  作製