文献

J-GLOBAL ID：202102224260441267   整理番号：21A0063588

SiC放射線検出器に対するElectron,中性子および陽子照射効果【JST・京大機械翻訳】

Electron, Neutron, and Proton Irradiation Effects on SiC Radiation Detectors

著者 (10件)： Rafi Joan Marc (Instituto de Microelectro ́nica de Barcelona-CNM-CSIC, Barcelona, Spain) ,  Pellegrini Giulio (Instituto de Microelectro ́nica de Barcelona-CNM-CSIC, Barcelona, Spain) ,  Godignon Philippe (Instituto de Microelectro ́nica de Barcelona-CNM-CSIC, Barcelona, Spain) ,  Ugobono Sofia Otero (Instituto de Microelectro ́nica de Barcelona-CNM-CSIC, Barcelona, Spain) ,  Rius Gemma (Instituto de Microelectro ́nica de Barcelona-CNM-CSIC, Barcelona, Spain) ,  Tsunoda Isao (Kumamoto College, National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto, Japan) ,  Yoneoka Masashi (Kumamoto College, National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto, Japan) ,  Takakura Kenichiro (Kumamoto College, National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto, Japan) ,  Kramberger Gregor (Jozef Stefan Institute, Ljubljana, Slovenia) ,  Moll Michael (European Organization for Nuclear Research (CERN), Geneva, Switzerland)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 67  号： 12  ページ： 2481-2489  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それらの低い暗電流,高い透明性,高い熱伝導率,および潜在的放射線硬度のために,放射線過酷環境における放射線モニタリングのための炭化ケイ素(SiC)デバイス,および特に将来の核融合炉におけるプラズマ診断システムに対して,特別な関心が持たれている。本研究では,エピタキシャル4H-SiC基板上に作製した4象限p-n接合ダイオードを研究した。電子,中性子,陽子照射(フルエンス1×1016電子(e)/cm2,2×1015中性子(n)/cm2,2.5×1015陽子(p)/cm2)の電気特性への影響を,電流インピーダンス(I_λ>V)とキャパシタンス|ΔV(C≡V)法によって研究した。。”電子,2×1015中性子(n)/cm2,および2.5×1015陽子(p)/cm2]。”,それぞれ,電子,中性子,および陽子照射(p)/cm2,および2.5×1015陽子(p)/cm2]の電気特性への影響を,電流作動電圧(I_λ>V)とキャパシタンス|電圧(C≡V)技術によって研究した。粒子タイプと適用フルエンスに関係なく,結果は照射SiCデバイスに対して類似の低い逆電流を示し,これは同程度のSiデバイスよりも少なくとも4桁低い。象限間分離における四分間抵抗と電荷蓄積に及ぼす照射の影響を評価した。さらに,放射検出器としてのデバイス性能を,コリメート239Pu-241Am-244Cmトリアルファ源への曝露で調べた。電気特性の整流特性が失われるという事実にもかかわらず,室温での性能は最高の照射フルエンスでも維持された。結果から,過酷な環境におけるα粒子検出におけるSiCデバイスの使用の利点を予想できる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インピーダンス ,  エピタクシー ,  帯電 ,  電圧 ,  電流 ,  *陽子 ,  *陽子照射 ,  *ケイ素 ,  *放射線 ,  *炭化ケイ素 ,  暗電流 ,  静電容量 ,  電気特性 ,  整流 ,  フルエンス

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  放射線検出器 ,  中性子 ,  陽子 ,  照射効果