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J-GLOBAL ID：202102225228052103   整理番号：21A0696768

直接合成法によるβ-Ga₂O₃の結晶成長における供給温度の影響

Effect of supply temperature in crystal growth of β-Ga₂O₃ by direct synthesis method

著者 (2件)： 神元将太 (徳島大 大学院) ,  西野克志 (徳島大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z20-7  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.本研究では新規半導体材料として注目されているGa2O3の結晶成長を行った。熱的に最安定な相であるβ-Ga2O3はバンドギャップが4.5-4.9eVとGaN、4H-SiCに比べて非常に大きく、パワーデバイス応用における低損失・高...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  *結晶成長 ,  *ガリウム ,  酸素 ,  半導体材料 ,  グラファイト ,  炭化ケイ素 ,  結晶度 ,  *酸化ガリウム ,  直接反応 ,  坩堝 ,  MOCVD ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *直接合成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 合成法 ,  β-Ga2O3 ,  結晶成長