真空条件下で熱処理により誘起された酸化グラフェン薄膜の化学的変化【JST・京大機械翻訳】

Hortigueela Maria J.; Machado Denise; Bdikin Igor; Neto Victor; Otero-Irurueta Gonzalo

文献

J-GLOBAL ID：202102225317764238 整理番号：21A0876570

真空条件下で熱処理により誘起された酸化グラフェン薄膜の化学的変化【JST・京大機械翻訳】

Chemical Changes of Graphene Oxide Thin Films Induced by Thermal Treatment under Vacuum Conditions

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巻： 10 号： 2 ページ： 113 発行年： 2020年
JST資料番号： U7162A ISSN： 2079-6412 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

酸化グラフェンの還元は,グラフェン様材料のバルク量を得るための最も有望な戦略の1つである。本研究では,酸化グラフェンをSiO_2上に堆積し,真空条件(5101Pa)下で500Kでのアニーリングによって還元した。ここでは,酸化グラフェン膜ならびに加熱時のそれらの化学的変化をX線光電子分光法,Raman分光法,および走査電子顕微鏡および原子間力顕微鏡によって詳細に特性化した。化学的観点から,調製したグラフェン酸化物膜は,加熱により大きく還元された大量の酸化官能基を示した。さらに,酸化グラフェン(GO)の合成中に発生した残留酸化硫黄化学種は加熱によりほぼ完全に除去されたが,窒素痕跡は炭素骨格に統合された。他方,構造的考察に関して,還元グラフェン酸化物膜は,酸化グラフェン膜より均一性および低い粗さを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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炭素とその化合物

引用文献 (34件)：

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