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J-GLOBAL ID：202102225430992303   整理番号：21A0552468

Mg吸着によるPb/Si(111)表面の構造と電子状態の変化

Mg deposition induced change of structure and electronic properties of Pb/Si(111) surface

著者 (4件)： 寺川成海 (京都大学大学院理学研究科) ,  八田振一郎 (京都大学大学院理学研究科) ,  奥山弘 (京都大学大学院理学研究科) ,  有賀哲也 (京都大学大学院理学研究科)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2020  ページ： 127(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(111)表面上の単原子層金属であるPb/Si(111) SICへのMg蒸着による構造と電子状態の変化を調べた。SICにMgを蒸着すると蒸着量の増加に伴い,LEEDパターンは4×4,“5×5”(不整合構造),6×6,2×2へと変化した。また,6×6を加熱するとc4×2に変化した。ARPESで各構造の電子状態を調べると,4×4と6×6が金属的な電子状態を持つことがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  鉛 ,  吸着 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  *電子状態 ,  *単原子層 ,  不整合相 ,  *表面構造 ,  超薄膜 ,  マグネシウム ,  半導体
準シソーラス用語： ARPES ,  金属吸着 ,  金属超薄膜

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mg ,  吸着 ,  Pb ,  Si ,  電子状態